摘要：基于特種工業縫紉機應用范圍的拓展，性能不斷提升，要求自動縫制單元除有縫紉機自動縫制的功能外，同時兼有自動送料、自動折料、自動取料、自動定位功能。本文采用電控系統+外置可編程PLC實現要求功能，電控系統可采用花樣縫紉機的電控系統，外置PLC采用西門子公司的S7-200PLC，系統和PLC間通過通信實現協調控制。通過PLC外部電路和時序控制，實現自動縫制單元中自動送料等縫紉過程中的特殊過程。
隨著國內服裝行業的不斷發展，服裝產品對縫制設備的縫制質量和特種加工要求也越來越高，對自動化程度高的自動
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西門子 S7-200 自動縫制單元
氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續為電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。
宜普電源轉換公司宣布推出六個新一代功率晶體管及相關的開發板。這些由30 V至200 V的產品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點(POL)轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動器、發光二極管照明及工業自動化等廣
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宜普 EPC MOSFET
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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DC/DC轉換器 寬電流 MOSFET 集成型穩壓器
全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應用，包括泵電機控制和車身控制等。 使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術的全新器件系列的首款產品，具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而
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IR MOSFET COOLiRFET
]新日本無線的MEMS傳感器累計出貨量突破1億枚，這是新日本無線執行董事兼電子元器件事業部長村田隆明先生今年來訪時帶來的最新消息，同時在SAW濾波器、MOSFET、光電半導體器件、功率半導體器件和最新型運算放大器等各個方面都有了長足的進步。
記得去年七月份村田隆明來到本刊時，詳細介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應商轉型的發展戰略，而今表明這一戰略轉型已經初步完成。
電子元器件業務已占贏收85%
縱觀新日本無線公司歷長達50多年的發展歷程，可以看到其業務構成主要是獨特的模擬技術和微
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MEMS MOSFET 濾波器
球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關應用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導通電阻性能，從而實現較低的導通損耗和更理想的系統效率。這款大罐式產品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
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IR MOSFET DirectFET
最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術研討會上的研究人員們表示，未來，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。
在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產品展示中，美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
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III-V族 MOSFET
最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術研討會上的研究人員們表示，未來，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。
在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產品展示中，美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的 MOSFET ──這種 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化銦鎵(InGaA
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矽晶 MOSFET
功率器件一直都是由材料引導技術革新，硅材質的MOSFET已經應用多年，現在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術挑戰，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。
宜普電源轉換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管的公司，他們希望借助技術優勢快速推廣其技術和產品，并于未來數年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉換市場份額。
增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管作為寬頻隙器件，其優勢包括具有更高功率密度、更
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MOSFET EPC eGaN 201406
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產品世界》雜志的2013年度電源產品獎。 《電子產品世界》年度電源產品獎評選已經舉行了11年，面向全球的電源供應商征集參選產品。五個門類的最佳產品獎和最佳應用獎的獲獎產品是通過在線投票，以及《電子產品世界》的編輯、專家和工程師的嚴格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設備中顯著提高效率
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Vishay MOSFET 電子產品世界
致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫療設備的解決方案。 美高森美擁有利用SiC半導體市場增長的良好條件，據市場研究機構Yole Développement預計，從201
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美高森美 MOSFET SiC
開關電源是利用現代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調制控制IC和MOSFET構成。隨著電力電子技術的發展和創新，使得開關電源技術也在不斷地創新。目前，開關電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應用幾乎所有的電子設備，是當今電子信息產業飛速發展不可缺少的一種電源方式。
根據中國電源學會收集整理的數據，2008年全國開關電源(主要包含消費類開關電源、工業類開關電源、通信電源、PC電源，下同)產值達到855億元，2009年達931億元，
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開關電源 MOSFET
1 引言
在工業控制系統的設計和實施過程中，經常會有一些場合(如過船閘門控制、垃圾處理控制等)除了用工業監控軟件進行工藝流程數據監控外，還需要配置專業的視頻監控系統，以使監控中心能夠直觀的、全面的掌握現場的實際情況，從而實現安全的遠程控制功能。傳統的做法一般是另外采用一套獨立的模擬信號視頻系統，如配置前端設備(含攝像機、鏡頭、云臺、解碼器等)、監視器和視頻操作鍵盤;或者采用一套獨立的數字信號視頻系統，如配置前端設備、帶視頻采集卡的計算機、視頻監控軟件。由于視頻系統與工控系統相互獨立，往往在現場需要各自獨
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SIEMENS S7-300
1.前言
變頻器在能源節約、電力環保方面意義重大，電動機驅動是電能消耗大戶，約消耗全國65%發電量，近三十多年來變頻調速已在鋼鐵、冶金、石油、化工、電力等工作中得到廣泛運用，其他家用電器例如變頻冰箱，變頻洗衣機、變頻微波爐等也已相繼出現，因此設計可靠高性能的變頻器電源尤為重要。
變頻技術目前得到了廣泛的應用，而變頻器的可靠穩定運行決定了變頻器性能指標，作為基礎硬件，變頻器電源的高效可靠運行至關重要。如圖1所示為變頻器的拓撲結構，主要由整流單元、預充電電路、制動單元和逆變單元組成，從圖中可知，變頻器電源
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AN8026 MOSFET
s7 mosfet介紹
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