- 沖電氣(OKI)推出內建運算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續針對可攜式等用途產品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術，適合于數字及模擬電路。OKI表示，該公司未來將靈活運用這一特長，加強與連接微處理器的數字輸出電路，進而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構成單一芯片的商品陣容；未來
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OKI SI-CMOS 傳感器 電源技術 模擬技術 IC 制造制程
- 開關在電路中起接通信號或斷開信號的作用。最常見的可控開關是繼電器,當給驅動繼電器的驅動電路加高電平或低電平時,繼電器就吸合或釋放,其觸點接通或斷開電路。CMOS模擬開關是一種可控開關,它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場合,只適于處理幅度不超過其工作電壓、電流較小的模擬或數字信號。
一、常用CMOS模擬開關引腳功能和工作原理
1.四雙向模擬開關CD4066
CD4066的引腳功能如圖1所示。每個封裝內部有4個獨立的模擬開關,每個模擬開關有輸入、輸出、控制三個端子,其中輸入端和輸出端可互換。當控
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CMOS 電源技術 模擬技術 模擬開關 數控電阻 電阻 電位器
- ROHM株式會社針對力求省電的筆記本電腦、數碼相機、游戲機等便攜數碼產品，推出高可靠性CMOS運算放大器、比較器。共發布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產品的樣品出貨、量產開始。3月份開始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運算放大器樣品，并將于2007年6月開始量產。 而CMOS比較器則從2007年4月開始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，與低功耗型「BU7231G
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CMOS ROHM 比較器 電源技術 模擬技術 運算放大器 模擬IC 電源
- 統時鐘設計和布線 (以減小時鐘傾斜(Skew)導致的時鐘余裕 (timing margin) 受損) 時鐘走線首先要注意避免阻抗不連續，在驅動器端的時鐘線設定阻抗為Z0為40Ω，然后每條線扇出成一對線，每條的Z0基本加倍，使信號反射減至最小。時鐘傾斜(timing skew)的問題是通過仿真解決，并將走線布到同一層上，管腳上時序信息是經過測試驗證過的。 優化電源層結構，防止電源的電磁輻射影響信號層 (減小耦合噪聲，△I噪聲，模式轉換噪聲mode conversion noise) 在開始
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CISCO EMI SI 服務器
- CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時間不得超過5秒。最好使用20~25W內熱式電烙鐵和502環氧助焊劑，必要時可使用插座。在接通電源的情況下，不應裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺及地板嚴禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機玻璃、膠木板等），應在工作臺上鋪放嚴格接地的細鋼絲網或銅絲網，并經常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測試。測試時所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應良好接地。如果是低阻信
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CMOS 集成電路
- 傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿足印刷、掃描和成像外圍設備的廣泛要求。 AMIS宣布首個2400dpi CMOS圖像傳感器現已投放市場。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時還可降低掃描儀、支票閱讀機、辦公自動化設備、打印機和其它基于成像的外圍設備在操作時的功耗和噪音。 新的傳感器以AMI&nb
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2400dpi AMIS CMOS 圖像傳感器 消費電子 消費電子
- 摘要： 本文對近期平板顯示市場的一些變化,如液晶的大幅降價對PMOLED（被動式OLED)的沖擊，AMOLED（主動式OLED)的最新變化及技術趨勢進行了概括分析。關鍵詞： AM OLED；TFT；LTPS；a-Si
目前OLED市場上占據絕對優勢的PM OLED，因局限于中小尺寸顯示屏市場，并且在技術與價格上與LCD相比優勢不明顯，受LCD降價沖擊很大，未來并不被業界看好。相反，AM OLED技術卻在市場一片叫好聲中，日漸成熟，蓄勢待發。三星SDI預計在2007年進入市場，開始大規
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0612_A AM a-Si LTPS OLED TFT 消費電子 雜志_關注焦點 有機發光二極管 OLED 消費電子
- 本文將對超低功耗電路設計原則進行分析，并就怎樣設計成超低功耗的產品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結 ...
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CMOS TTL 單片機
- 引言
隨著移動通信技術的發展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標準CMOS工藝實現壓控振蕩器(VCO)，是實現RF CMOS集成收發機的關鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變容二極管作為壓控器件，然而在用實際工藝實現電路時，會發現變容二極管的品質因數通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實現的器件來代替一般的變容二極管，MOS變容管便應運而生了。
MOS變容管
將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個簡單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
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CMOS RF專題 電源技術 模擬技術 射頻 振蕩器
- 集成多路模擬開關（以下簡稱多路開關）是自動數據采集、程控增益放大等重要技術領域的常用器件，其實際使用性能的優劣對系統的嚴謹和可靠性重要影響。 關于多路開關的應用技術，些文獻上介紹有兩點不足：一是對器件自身介紹較多，而對器件與相關電路的合理搭配與協調介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開關的種類，注意多路開關與相關電路的合理搭配與協調，保證各電路單元有合適的工作狀態，才能充分發揮多路開關的性能，甚至彌補某性能指標的欠缺，收到預期的效果。本文從應用
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CMOS 電源技術 放大器 模擬技術 模擬開關
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