2019年3月14日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON
Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer
Studio?
開發平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統性能有信心。 Strata Developer
S
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安森美 SiC
Mar. 7, 2019 ----
全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%。 集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產業，2019年
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IGBT SiC
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
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碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K
SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC)
MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動器、電焊機和電源。 SIC1182K可在125°C結溫下提供8
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Power Integrations SiC-MOSFET
介紹了SiC的市場動向，SiC市場不斷擴大的原因，SiC技術及解決方案的突破，以及羅姆公司在SiC方面的特點。
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SiC 市場 應用 汽車 201903
意法半導體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB公司簽署協議，收購后者55%股權。Norstel公司于2005年從Link?ping大學分拆出來，開發和生產150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈，并為自己帶來一個重要的增長機會。
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ST Norstel SiC
目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。 然而，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。 實際上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
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半導體 SiC GaN
11月30日，北汽新能源(北汽藍谷
600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產品技術聯合實驗室。北汽新能源執行副總經理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現場簽署了合作協議書，并共同為SiC產品技術聯合試驗室揭牌。 該聯合實驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領域不斷加強自主技術實力的重要舉措，聯合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術的預研中，并圍繞碳化硅的新產品進行全面合作開發。 近年來，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經被廣泛應用在新能源
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北汽新能源 羅姆半導體 SiC
羅姆（ROHM）作為一個日本企業，很早便打入歐洲市場，豐富的行業經驗、值得信賴的產品品質和口碑讓歐洲本土企業成為羅姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我們也見到了很多羅姆（ROHM）的得意之作。
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ROHM SiC 羅姆
摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL
JU和ESI協同為該項目提供資金支持，實現具有重大經濟和社會影響的優勢互補的研發活動。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia
Micro e Nano
Sistemi)牽頭，20個項目合作方將在技術研究、制造工藝、封裝測試和應用方面展開為期36個月的開發合作。本文將討論本項目中與汽車相關的內容，重點介紹有關SiC技術和封
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SiC WInSiC4AP
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現業界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調查數據) 近年來，由于SiC產品的節能效果優異，以1200V耐壓為主的SiC產品在汽車和工業設備等領域的應用日益廣泛。隨著各種應用的多功能化和高性能化發展，系統呈高電壓化發展趨勢，1700V耐壓產品的需求日益旺盛。然而，受
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ROHM SiC
全球知名半導體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時，將以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，展示羅姆在汽車電子和工業設備等領域的豐富產品與解決方案，以及模擬技術和功率元器件等技術亮點。同時，將圍繞汽車電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機驅動、DC/DC轉換器技術、傳感器技術以及旗下藍碧石半導體的先進技術等主題，由羅姆的工程師帶來六場技術專題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現場，與羅姆的技術專家進行面對面的交流和切磋
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ROHM SiC
10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創新中心聯合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行。 本屆高峰論壇和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟達成戰略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業領袖同臺論劍，給現場觀眾帶來了一場第三代半導體產業的盛宴。 立足國際產業發展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發展的現狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰，以及面向未來的戰略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
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基本半導體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導體 中歐論壇
SiC和GaN MOSFET技術的出現，正推動著功率電子行業發生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉換系統的效率提高了多個百分點，而這在幾年前是不可想象的。 在現實世界中，沒有理想的開關特性。但基于新材料、擁有超低開關損耗的多種寬禁帶器件正在出現，既能實現低開關損耗，又能處理超高速率dv/dt轉換，并支持超快速開關頻率，使得這些新技術既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢，但同時也變成了他們的惡夢。 比如一名設計工程師正在開發功率轉換應用，如逆變器或馬達驅動控制器，或者正在設
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SiC GaN
高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產業化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰略合作伙伴關系，將共同開展研發項目，推動碳化硅功率器件在工業各領域尤其是新能源汽車領域實現廣泛應用。 CISSOID和泰科天潤簽署戰略合作協議 泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業，也是支撐高端制造業的新興力量。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導體解決方案的領導者，專為極端溫
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CISSOID SiC
sic 介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能.
Si [
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