英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅動IC產品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。 全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅動高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業變頻器、電動汽車充電站、焊接設備及商用和農用車等。優化的
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英飛凌 SiC-MOSFET
通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統正常運行，通信電源系統在整個通信行業中占的比例比較小，但它是整個通信網絡的關鍵基礎設施，是通信網絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。
通信電源產品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示。
圖1：通訊電源機房
目前主流的通訊電源，其參數如下：
• 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz
• 輸出功率：2kw
• 輸出：最大電壓1
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世強 SiC
SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業上，例如產線機器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動車(EV)，此外還有工廠車間的搬運車等特種車。
相比IGBT，SiC有一些特點，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應適應高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產品，這可體現出耐高壓的特點。
現在ROHM SiC模塊中，300A是量產中最大的電流(如圖)，由幾個芯片并聯在一起的。如果一個芯片40A左右，就需要約七八個芯片并聯，面積只有單個芯片那么大。絕緣層是由氧
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ROHM SiC
東芝在工業領域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關產品。這些產品可以廣泛用到電氣機車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業變頻、電動汽車等工業領域，這些領域對減小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高。 東芝是全球第一個商業化生產IGBT器件的廠家，率先導入了“門級注入增強”技術以降低IGBT靜態損耗，用該技術注冊了東芝大功率IGBT的專用商標---“IEGT”。 東芝電子(中國)公司副董事長野村尚司 目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產品系列。通過使用高耐壓、高結溫的IEGT及SiC材料
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IEGT SiC
大阪大學和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產業技術綜合開發機構(NEDO)的項目下，發現了有望提高碳化硅(SiC)功率半導體長期可靠性的接合材料自我修復現象。研究人員發現，在高溫的設備工作環境下，用作接合材料的銀燒結材料自行修復了龜裂，這大大提高了SiC半導體在汽車等領域的應用可能性。
此次的SiC接合使用銀膏燒結粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環境實施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優點，包
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SiC 功率半導體
全球知名半導體制造商ROHM現身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT(物聯網)的發展做出貢獻的傳感器網絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產品。這些高新領先的技術、強勢多元化的產品、多種熱門應用解決方案，吸引了眾多業內外人士駐足及交流。
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ROHM SiC
全球SiC領先者CREE推出了業界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應晶體管技術，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應用進行了優化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠實現下一代更小尺寸、更高效率的電力轉換系統，并大幅降低了系統成本。C3M0065090J突破了電力設備技術，是開關模式電源(spm)、電池充電器、太陽能逆變器，以及其他工業高電壓應用等的電源管理解決方案。
世強代理的該900V SiC具有更寬的終端系統功率范圍，
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世強 SiC
由于具有較低的偏置電流，人們經常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應該意識到，這個事實還與很多其它的原因相關。 CMOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設計附加的電路來對脆弱的柵極進行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實現。圖1a中的OPA320就是一個例子。這些二極管會存在大約幾皮安的漏電流。當輸入電壓大約達到電源軌中間值的時候，漏電流匹配的相當好，僅僅會存在小于1皮安的殘余誤差電流
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CMOS JFET
DIGITIMES Research觀察，傳統以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術表現，業界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優勢，預計未來功率半導體市場將三分天下。
更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
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GaN SiC
2016年11月16日-21日，全球知名半導體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、業界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子、以及能夠為IoT(物聯網)的發展做出貢獻的傳感器網絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產品。ROHM所帶來的高新領先技術、強勢多元化的產品、以及多種解決方案，受到來場參觀者的廣泛好評。 ROHM模擬電源“領銜”業內標準 近年來，全世
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ROHM SiC
2015年3月份，一份由國家能源局制定的草案引爆了整個新能源汽車圈，沒錯，這份眾人期盼已久的草案就是《電動汽車充電基礎設施建設規劃》。該草案的完成對于汽車充電設施制造商帶來說堪稱一場“及時雨”。草案提到2020年國內充換電站數量要達到1.2萬個，充電樁達到450萬個，這意味著一個千億級市場將在國內的充電行業產生。
充電樁通常被譽為新能源汽車的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
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Cree SiC
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
SiC與Si性能對比
簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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SiC MOSFET
當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。
n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元
由碳化硅電力設備市場驅動，n型碳化硅基
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GaN SiC
集LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業領先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術領域的領導地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅動開關和并網逆變器等應用。目前世強已獲授權代理SiC系列產品。
圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖
世強代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業標準
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CREE SiC
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