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sic jfet 文章 最新資訊

SiC MOSFET在汽車和電源應用中優(yōu)勢顯著

  • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善，特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低，這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET/ IGBT產品，但在某些時候，收益遞減
  • 關鍵字： SiC MOSFET  意法半導體  

ST進軍工業(yè)市場，打造豐富多彩的工業(yè)樂園

  • 近日，意法半導體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產品器件部區(qū)域營銷和應用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場的特點，并介紹了ST的產品線寬泛且通用性強，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應對工業(yè)市場少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領域呈現(xiàn)多樣、少量的特點，需要改變消費類電子大規(guī)模生產的模式，實現(xiàn)少量、高質量的生產。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應用的多樣化，即一個大應用下面通常有很多小的子應用，所以產品會非標準化，即一個產品只能針對某一類小應用/小客戶的需
  • 關鍵字： 電機  MCU  電源  SiC  

ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

科銳宣布與德爾?？萍奸_展汽車SiC器件合作

  • 近日，科銳宣布與德爾?？萍迹―elphi Technologies PLC）開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。
  • 關鍵字： 科銳  德爾?？萍?/a>  SiC  

SiC: 為何被稱為是新一代功率半導體？

  • 　　王?瑩?（《電子產品世界》編輯，北京?100036）　　SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。據SiC廠商羅姆基于IHS的調查顯示，2025年整個市場規(guī)模將達到約23億美元。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用?！　〔贿^，制約SiC發(fā)展的關鍵是價格，主要原因有兩個：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，羅姆等公司已經有6英
  • 關鍵字： 201909  新一代功率半導體  SiC  

SiC將達23億美元規(guī)模，技術精進是主攻方向

  • ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面，眾廠商競爭
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型， 產品陣容豐富且支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產品陣容豐富，擁有13個機型?！　OHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)SiC MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發(fā)和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
  • 關鍵字： ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半導體將在APEC 2019演示 用先進云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

  • 　　2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統(tǒng)性能有信心?！　trata Developer S
  • 關鍵字： 安森美  SiC   

集邦咨詢：需求持續(xù)擴張，2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾2,900億元

  • 　　Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%?！　〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產業(yè)，2019年
  • 關鍵字： IGBT  SiC   

碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
  • 關鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅動器，可最大程度提高效率及安全性

  • 　　深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅動器、電焊機和電源。　　SIC1182K可在125°C結溫下提供8
  • 關鍵字： Power Integrations  SiC-MOSFET  

SiC市場趨勢及應用動向

  • 介紹了SiC的市場動向，SiC市場不斷擴大的原因，SiC技術及解決方案的突破，以及羅姆公司在SiC方面的特點。
  • 關鍵字： SiC  市場  應用  汽車  201903  

ST將收購Norstel 55％股權，擴大SiC器件供應鏈

  • 意法半導體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB公司簽署協(xié)議，收購后者55%股權。Norstel公司于2005年從Link?ping大學分拆出來，開發(fā)和生產150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈，并為自己帶來一個重要的增長機會。
  • 關鍵字： ST  Norstel  SiC  

第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點？

  • 　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景?！　∪欢?，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。　　實際上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
  • 關鍵字： 半導體  SiC  GaN  

北汽新能源聯(lián)手羅姆半導體，推動SiC產品技術研發(fā)

  • 　　11月30日，北汽新能源(北汽藍谷 600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產品技術聯(lián)合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書，并共同為SiC產品技術聯(lián)合試驗室揭牌?！　　　≡撀?lián)合實驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領域不斷加強自主技術實力的重要舉措，聯(lián)合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術的預研中，并圍繞碳化硅的新產品進行全面合作開發(fā)?！　　　〗陙?，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經被廣泛應用在新能源
  • 關鍵字： 北汽新能源  羅姆半導體  SiC  
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