英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動汽車芯片的協議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動汽車的主驅動。根據協議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產。IGBT依然緊缺根據供應鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經拉長到50%以上，市場部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態，整體積壓訂單金額超過
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英飛凌 賽米控 電動汽車芯片 SiC IGBT
全球車用SiC功率組件市場，目前主要由IDM大廠獨霸，根據統計，全球SiC產能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導體的營收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標，該公司積極擴充SiC功率半導體的產能，并宣布買下日本一家太陽能系統廠的舊工廠，未來將引進SiC功率半導體8吋晶圓產線到工廠內，預計在2024年底啟動，將使羅姆的SiC功率半導體產能，到2030年增加為2021年的35倍。根據日本朝日新聞、日經新聞等報導，羅姆將從日本的石油公
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羅姆 SiC
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產業鏈已經有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發揮出來，這次我們會從AQG324這個測試標準的角度來看芯片和封裝的開發與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個SSDC模塊的結構圖，從圖一和圖二我們可以發現這個用在主驅的功率模塊還是比較復雜的，里面包含了許
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SiC Traction模塊 安森美 202311
功率MOSFET最常用于開關型應用中，發揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時，功率MOSFET需要作為常“開”開關運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關型應用中，發揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零
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MOSFET MOS
自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
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安森美 MOSFET 車載充電器
自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
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安森美 onsemi MOSFET 車載充電器 800V電池架構
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態系統的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
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安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅動器
近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統等領域對碳化硅半導體產品需求不斷增長，并推動新興半導體材料的發展。在碳化硅襯底上，國內廠商正加速研發步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現8英寸拋光片的開發，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實現小批量生產；天科合達計劃在2023年實現8英寸襯底產品的小規模量產，同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協議。近期，科友半導體傳來了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度
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8英寸 SiC 科友半導體
最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領域的潛在應用受到了廣泛關注，但同時也引發了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們在未來放心地使用 SiC器件。應用圍繞SiC 產生的一些疑慮與其應用范圍相關。例如，一些設計人員認為SiC MOSFET 應該用來替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質因數很有競爭力，反向恢復電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數校正 (TPPFC) 或同
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202306 SiC
奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務器、工業、開關電源、快充、USB-PD和電機控制應用。 長期以來，品質因數Qg*RDSon一直是半導體制造商提高MOSFET開關效率的重點。然而，一味地降低該品質因數導致產生了意外后果
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Nexperia MOSFET
SiC（碳化硅）功率元器件領域的先進企業ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協議。根據該合作協議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達成此次合作，是因為雙方已于2020年建立了“電動汽車電力電子技術開發合作伙伴關系”，并基于合作伙伴關系進行了密切的技術合作，開展了適用于電動汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
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在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結構與創新工藝技術結合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體
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SiC 肖特基二極管
如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯網技術等要求苛刻領域的進步，但高質量 SiC 基板的生產給晶圓制造商帶來了多重挑戰。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物
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SiC
近年來，為了更好地實現自然資源可持續利用，需要更多節能產品，因此，關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續發展的推動力。譬如，多個標準法規已經或即將強制規
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英飛凌 MOSFET
01?概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（Sta
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MOSFET
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