久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic-mosfet

sic-mosfet 文章 最新資訊

汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E

  • 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統的重要組成部分，其能夠幫助實現各種各樣的功能，包括負載切換、電機控制以及DC/DC轉換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
  • 關鍵字： MOSFET  DC/DC轉換  SQJQ480E  

寬禁帶技術-下一代功率器件

  • 　　行業標準的收緊和政府法規的改變是使產品能效更高的關鍵推動因素。例如，數據中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監管措施，以確保所有依賴能源的產品都需具有最高能效。　　同時，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目
  • 關鍵字： SiC  GaN  

羅姆首次亮相“2018北京國際汽車制造業暨工業裝配博覽會”

  • 　　全球知名半導體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業暨工業裝配博覽會”(展位號：2展館T213)。以“用半導體為汽車的未來做貢獻”為理念，帶來了新能源汽車、汽車小型化輕量化、自動駕駛、人機交互等相關領先半導體產品。　　羅姆展臺人頭攢動　　在 “Formula E國際汽聯電動方程式錦標賽”特別展示區以及“xEV”、“環保/節能”、“安全/舒適”三大展區內，重點展示了以下產品和技術：　　? 先進的SiC(碳化硅)技術：助力 “Formula
  • 關鍵字： 羅姆  SiC  

德州儀器CTO：TI顛覆性技術將引領我們快速前進

  • 　　當我坐在電動汽車上踩下加速踏板，時速在3秒之內就能從0飆升到近100公里——我非常享受這個過程。正如我駕車疾馳在高速公路快車道上，而新一代技術將載著我們馳騁在大數據公路的快車道上。　　暢想一下，新技術將影響著我們未來的工作和生活：　　· 汽車組裝生產線上將重新配置協作機器人，由它們來組裝不同型號的車輛。這將在降低成本的同時大大提高生產力，發揮競爭優勢。今天，重置一個這樣的工廠可能需要幾年的時間。　　· 機器視覺技術將使人們即使在夜間、霧天和灰塵的環境下，駕駛時也可清晰視物。　　· 充電器尺寸將縮小到信
  • 關鍵字： 德州儀器  SiC  

應用角：云電源

  • 　　云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數據的設備的電源的通用術語。在電信或傳輸應用中，云電源將為基帶單元和遠程無線電單元供電。用于存儲和處理的服務器機群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時斷電時用戶仍可訪問云。每臺服務器還將需要一個電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉換器來提供負載點電源。　　由于物聯網顯著增加了捕獲某種數據的端點數(2017年付運約20億臺設備，比2015年增長54%)，因此需要大量的存儲器來處理和存儲數據。為此，正在構建大型服務器機群，這些機群將消耗大量電力。電源轉換將產生熱量，終
  • 關鍵字： 云電源  SiC  

IGBT掃盲文，IGBT基礎與運用知識學習

  • 　　IGBT基礎與運用　　IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內。　　理想等效電路與實際等效電路如圖所示：　　IGBT 的靜態特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態特性(開關特性)。　　動態特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
  • 關鍵字： IGBT，MOSFET  

宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務

  • 　　隨著電子產品功能愈來愈多元，對于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產能不足，客戶龐大需求下，電子產品驗證服務龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務」，目前已有20多家海內外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設計企業已于今年第一季底，前來宜特進行工程試樣，并于第二季初開始進行小量產，并在下半年正式量產。　　宜特董事長 余維斌指出，在車用可靠度驗證分析本業上，已做到亞洲龍頭，然而在服務客戶的同時，發現了此
  • 關鍵字： MOSFET  晶圓  

低功耗SiC二極管實現最高功率密度

  • 　　相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。　　安森美半導體擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數據中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時，往往面對在更小尺寸實現更高能效的挑戰。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
  • 關鍵字： 肖特基二極，SiC  

意法半導體推出離線轉換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

  • 　　意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業電源的靈活性。　　邏輯級原邊MOSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內工作，可用于設計高效的5V輸出開關電源。結合內部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能，這種優勢可簡化設計，節省空間和物料清單成本。　　VIPer11高壓轉換器可實現由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
  • 關鍵字： 意法半導體，MOSFET  

工業設備輔助電源驅動用的SiC電源解決方案

  • 　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統，需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案。　　小型輔助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
  • 關鍵字： SiC，MOSFET  

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破

  • 　　6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。　　中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己能生產了。”　　SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛星通訊、高壓
  • 關鍵字： SiC  

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破

  • 　　6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。　　中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己能生產了。”　　SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛星通訊、高壓
  • 關鍵字： SiC  

安森美半導體發布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴苛的汽車應用

  • 　　推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，發布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。新的符合AEC-Q101車規的汽車級SiC二極管提供現代汽車應用所需的可靠性和強固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術的眾多性能優勢。　　SiC技術提供比硅器件更佳的開關性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復電流，開關性能與溫度無關。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統尺寸和降低的成本使SiC
  • 關鍵字： 安森美  SiC  

計算MOSFET非線性電容

  • 　　最初為高壓器件開發的超級結MOSFET，電荷平衡現在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結電容，但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計算或比較不同MOSFET參數以獲得最佳性能變得更加復雜。　　MOSFET三個相關電容不能作為VDS的函數直接測量，其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數據手冊最終測量給出的三個值定義如下：　　CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD　　三者中，輸入電容CG
  • 關鍵字： MOSFET  非線性電容  

美高森美繼續擴大碳化硅產品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件

  • 　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
  • 關鍵字： 美高森美  SiC  
共1733條 51/116 |‹ « 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 » ›|

sic-mosfet介紹

您好，目前還沒有人創建詞條sic-mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對sic-mosfet的理解，并與今后在此搜索sic-mosfet的朋友們分享。    創建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473