- GaN和SiC將區分使用 2015年，市場上或許就可以穩定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
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功率 半導體 SiC GaN
- 在SiC及GaN等新一代功率半導體領域，以韓國和中國為代表的亞洲企業的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領域也顯著呈現出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴大SiC晶圓業務的亞洲企業紛紛出展。
山東天岳先進材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當前的目標
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SiC 晶圓
- 2013年10月07日，高性能線性和電源解決方案、局域網以及時鐘管理和通信解決方案領域的行業領導者麥瑞半導體公司(納斯達克股票代碼：MCRL)推出了85V半橋MOSFET驅動器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負載二極管和業內最寬廣的可編程柵極驅動電壓范圍(5.5V至16V)等特點。
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麥瑞 MOSFET MIC4604
- 開關電源因具有良好的輸入電壓調整率和負載調整率、高轉換效率以及體積小巧等優勢，如今幾乎為所有電子系統采用。在最高至500 W的功率范圍內，開關電源包括大批量不同功率的應用，例如LED/LCD電視機、LED照明、PC以及其他IT設備。
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PFC LED HiperPFS MOSFET CCM
- 目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著商用電子產品的功能日益增多，其尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間...
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電源設計 MOSFET
- 飛兆半導體公司(紐約證券交易所代號： FCS)，全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商，最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設計和模擬工具，可在一分鐘內提供完整的設計–進一步強化，引入傳動系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
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飛兆 MOSFET IGBT 整流器
- 摘要： Power Clip 33 封裝十分新穎，旨在增加同步整流 (SR) 降壓應用中的功率密度，同時使用與傳統分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。 本文詳細分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實現這一性能的。
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飛兆 Power POL MOSFET 晶圓
- 在追求不斷提高能效的過程中，MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進。盡管四十多年來我們對這種器件有了很多了...
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MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V FastIRFET創新功率MOSFET系列，適用于先進的電信和網絡通訊設備、服務器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應用。
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IR MOSFET DC-DC FastIRFET
- 碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳...
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PV 逆變器 SiC 功率元件
- 1.概述MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體），FET（FieldEffectTransistor場...
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場效應管 MOSFET
- 在電源設計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅動電路中使用的發射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
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MOSFET 驅動器
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET
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