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sk 海力士 文章 最新資訊

海力士將與斗山共同開發半導體基板原料

  •   海力士半導體(Hynix)宣布,將與斗山電子(Doosan Electro-Materials)共同開發可縮小半導體印刷電路板(PCB)體積近25%的新PCB原料。利用此技術,使用Tenting(蓬蓋式)制程也可縮小半導體封裝基板的銅線路線寬近25%,至25μm,也將可使PCB基板面積隨之縮小。為實現25μm的線寬,已采用MSAP(Modified Semi-Addictive Process)制法,然此制法存在較原始方法制程復雜且困難,所需費用也增加20%的問題。   海力士和斗山為解
  • 關鍵字: 海力士  半導體  

海力士半導體決定終止與恒億建立的合資企業

  •   海力士半導體決定通過回購恒億所持合資企業的21%股份以終止雙方合資企業的合作關系,此舉符合市場廣泛預期。   綜合外電5月31日報道,以收入計全球第二大電腦存儲芯片制造商海力士半導體公司(HynixSemiconductorInc.)決定終止與恒億公司(Numonyx)建立的合資企業,前者將以4.23億美元回購后者所持合資企業的21%股份。   2010年早些時候,美光科技公司(MicronTechnologyInc)以12.7億美元收購了恒億公司,此后市場廣泛預期海力士半導體公司將作出上述決定。
  • 關鍵字: 海力士  存儲芯片  

擴大市占 海力士2012年前擬投資近80億美元

  •   韓國媒體Korea Times獨家獲得海力士(Hynix)內部資料,顯示該公司在2012年前,將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資,預料競爭將加劇。   除提高投資外,該份名為「財務穩健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示,海力士在2012年的營收目標為12兆韓元,較2010年的10兆韓元成長20%,而全球DRAM市占率可望提高至 25%,NAND Flash的市占率則可望達到20
  • 關鍵字: 海力士  存儲器  

強化半導體設備廠合作關系 海力士專利支持方案啟動

  •   海力士(Hynix)決定將持有的韓國半導體裝備專利及實用新發明831件,釋出給合作伙伴參與,若往來的公司對這些專利有需求及合作意愿,海力士將以販售或給予使用許可的方式提供支持。   海力士為強化與半導體裝備、原料等相關中小企業之間的合作關系,因而準備了此方案,并在支持合作公司的網站heinet.hynix.com上開設專利支持系統以供使用。   透過此方案,海力士首先對合作公司公開專利及實用新發明831件,并打算出售或提供使用權。除公開的831件新發明外,若合作公司有要求,也可討論移轉的可能性。
  • 關鍵字: 海力士  半導體裝備  

海力士:一季度DRAM芯片平均售價季漲3%

  •   以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布,一季度公司動態隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%,09年四季度漲幅為26%。   然而,海力士半導體公司在一份聲明中稱,一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%,09年四季度降幅為5%。   該公司補充道,一季度DRAM芯片發貨量季比上升6%,NAND芯片發貨量季比持平。   海力士半導體公布,該公司一季度營業利潤率為28%,09年四季度該公司營業利潤率為25%。
  • 關鍵字: 海力士  NAND  DRAM  

海力士擬再融資其5.83億美元可轉換債券

  •   據路透(Reuters)報導,韓國半導體大廠海力士(Hynix)表示,正在考慮為2007年釋出的5.83億美元可轉換債券進行再融資,該批可轉換債券原定2010年5月可提前贖回。   海力士尚未決定再融資的方式及時間細節,且尚未決定要由哪里家銀行經手。韓國媒體則點名摩根大通 (JP Morgan)、高盛(Goldman Sachs)、瑞士信貸銀行(Credit Suisse)、美林證券(Merrill Lynch)及蘇格蘭皇家銀行(Royal Bank of Scotland)可能為經手商。   海
  • 關鍵字: 海力士  存儲器  

無錫海關為海力士特設“車載物流”節約成本

  •   海力士-恒憶半導體有限公司是江蘇最大的外商獨資項目,為解決該公司精密設備無震動運輸的特殊要求,無錫海關創造性地推出“車載物流”監管模式,5個月節約物流成本2000萬元。   無錫海關相關負責人介紹說,“車載物流”即載貨車輛利用客貨班輪進入口岸后,不再需要卸貨換裝,而是由原車直接完成“陸-海-陸”全程聯運,實現門到門運輸的新型物流模式。采用這種模式后,海力士在5個月內完成三期工程設備的進境和安裝調試,工程產值近5億美元,同時也為公
  • 關鍵字: 海力士  半導體  

海力士債權人出售6.7%股份籌資8.14億美元

  •   據國外媒體報道,韓國海力士半導體的主要債權人韓國外換銀行周二表示,海力士半導體的債權人已經以9232億韓元(約合8.14億美元)的價格出售了公司6.7%的股份。海力士半導體是全球第二大內存芯片制造商。   韓國外換銀行周二發表聲明稱,海力士的債權人以平均每股2.35萬韓元的價格出售了3928萬股股份,出售價在每股2.28萬韓元至2.35萬韓元間。   韓華證券分析師Suh Do Won發表研究報告稱:“海力士估值過高的狀況似乎有所緩解,目前股價應當反映了公司基本面的強勁好轉。&rdqu
  • 關鍵字: 海力士  存儲器  

海力士債權人任命權五哲為新CEO

  •   海力士半導體的債權人已任命權五哲為公司新任CEO。   海力士主要債權人韓國外換銀行在一封郵件中表示,海力士債權人面試了公司執行副總裁崔鎮奭、執行副總裁樸星昱和高級副總裁金旻徹,最終選擇權五哲為新任CEO。   海力士債權人此前為拯救海力士投入了46億美元資金。這些債權人正尋求在今年內出售海力士最多13%的股份。根據海力士當前股價,這部分股份估值為15億美元。   權五哲將接替海力士現任CEO金鐘甲,后者已被任命為海力士董事會主席。隨著半導體行業的復蘇,權五哲需要保證海力士能持續實現利潤增長。分
  • 關鍵字: 海力士  半導體  

三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝

  •   繼Intel、美光上個月宣布投產25nm NAND閃存芯片后,韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產計劃。   海力士將采用26nm工藝生產容量為64Gb的NAND閃存芯片,這和Intel、美光首批投產的25nm芯片容量一致。而三星則計劃在今年第二季度投產27nm NAND閃存。   海力士表示,和30nm工藝相比,新工藝的閃存芯片的產能將翻一番,成本也將大幅度降低。根據韓國當地媒體的報道,海力士將在今年第三季度開始量產 26nm閃存芯片。在這一點上三星已經占
  • 關鍵字: 三星  20nm  NAND閃存  海力士  

海力士反行業主流看法:今年DRAM芯片恐將過剩

  •   2月9日消息,據臺灣經濟日報報道,在DRAM芯片行業多數企業普遍看好今年市況之際,全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發出警告,認為今年DRAM芯片恐出現供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產業的大廠。   全球DRAM芯片龍頭三星上周才公開表示,看好整體內存產業,海力士卻發布警告,看法與三星大為迥異。海力士發警告,將牽動南科、華亞科、力晶以及創見、威剛等臺灣內存企業發展計劃。   外電報道,海力士執行長金鐘甲在接受媒體採訪時透露,由于各大晶片廠都大舉擴大資本支出,擔心DRAM芯片會供給過剩
  • 關鍵字: 海力士  DRAM  

韓國海力士涉嫌竊取三星電子芯片機密

  •   韓國首爾東部地檢刑事6部3日表示,對美國AM公司副總經理郭某和韓國分公司AMK公司組長金某提出拘留起訴,并對其他8名職員進行不拘留起訴。他們涉嫌 竊取三星電子95項半導體生產技術,并將其中13項轉交給海力士。AM公司是全球最大的芯片生產設備企業,同三星電子和海力士都有合作關系,向他們提供產 品。   檢方表示,AM公司盜取的三星電子核心技術中包括三星電子本月1日公布的30納米DRAM(動態隨機存儲記憶體)芯片相關資料,這在全球還是首創,另外還包括40項“國家核心技術”。  
  • 關鍵字: 海力士  芯片  

海力士股份無人問津 出售工作再次失敗

  •   據國外媒體報道,海力士半導體出售工作再次以失敗告終。   海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc)的債權團在29日的最后期限之前沒有收到任何對其海力士半導體公司股份的報價。   債權團將于下月初召開協商會,討論海力士的經營結構,以及今后的公司處理方案。   海力士半導體的債權人去年12月致函本地公司,邀請他們在周五之前就收購其所持海力士半導體全部或部分股份提交初步報價。
  • 關鍵字: 海力士  半導體  

經濟低迷?韓國海力士半導體出售股份無人問津

  •   據國外媒體報道,一位知情人士周二透露,在周五最后日期前,韓國海力士半導體的債權人尚未能找到有意收購海力士半導體股權的買家,而如果競標失敗,債權人可能會考慮將其所持股權整體出售。   這位不愿具名的人士表示,目前來看,出售股權交易的前景并不樂觀。   海力士半導體發言人Park Hyun表示,公司并不清楚這一狀況。   海力士半導體的債權人去年12月致函本地公司,邀請他們在周五之前就收購其所持海力士半導體全部或部分股份提交初步報價。   債權人此前尋求出售他們在海力士半導體所持總計28%的股份,
  • 關鍵字: 海力士  半導體  

DDR3成主流產品 海力士增NAND Flash產能

  •   據彭博(Bloomberg)報導,海力士執行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示,2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產業的主流產品,同時,海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率,并倍增NAND Flash的產能。   根據研究機構iSuppli資料,2009年第3季海力士于全球DRAM市場市占率為21.7%,落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%,   海力士也將增加NAND Flash產能,金鐘甲表示,2010年底前海力士計劃倍增NAND
  • 關鍵字: 海力士  DRAM  存儲器  
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