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sk 海力士 文章 最新資訊

全球NAND Flash擴產競賽3缺1

  •   存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降,除了積極布局非標準型DRAM相關的應用領域之外,市場認為目前全球4大NAND Flash陣營中,唯一沒有宣布要擴產的只剩下海力士,2011年平板計算機和智能型手機等應用都是NAND Flash當道,海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12,未來若此座廠房加入NAND Flash生產行列,全球NAND Flash產業4大天王將全部到齊!  
  • 關鍵字: 海力士  NAND  

海力士無錫項目三期融資4.5億美元

  •   1月30日,海力士半導體(中國)有限公司12英寸集成電路三期項目4.5億美元銀團貸款簽約儀式在湖濱飯店舉行。本次簽約的海力士三期項目,由國家開發銀行江蘇省分行、中國農業銀行江蘇省分行為聯合牽頭行,中國銀行、工商銀行、建設銀行、中信銀行共同參與組建銀團,融資總額4.5億美元。這次銀團簽約,是銀企各方繼海力士一、二期超大規模集成電路生產線項目銀團后的又一次成功合作。
  • 關鍵字: 海力士  集成電路  

海力士半導體債權人擬繼續沽售剩余股份

  •   韓國《東亞日報》周一報道,海力士半導體債權人韓國金融公司(KoreaFinanceCorp。)總裁RyuJaeHan透露,今年3月之后,海力士半導體的債權人可能會繼續為他們所持海力士半導體的剩余股份尋找買家。  
  • 關鍵字: 海力士  半導體  

海力士DRAM制程升級到30納米級

  •   海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后,將把DRAM的生產制程轉換為30納米級制程。海力士29日宣布,已開發出2款計算機用DRAM產品,將首度采用30納米級制程量產。據海力士表示,計劃采用38納米制程生產4Gb和2Gb 2種產品,2011年第1季將先量產2Gb產品。  
  • 關鍵字: 海力士  DRAM  

海力士2011年計劃投資26億美元

  •   據彭博(Bloomberg)報導,海力士(Hynix)計劃資本支出3兆韓元(約26億美元),該公司發言人證實首爾經濟日報(Seoul Economic Daily)的報導。   彭博電話訪問發言人Park Seong Ae指出,實際投資金額可能會依市場情況而調整。Park進一步指出,2010年的投資金額為3.38兆韓元,相較之下,2011年的投資金額可能會比較小。
  • 關鍵字: 海力士  DRAM  

海力士半導體明年一季度開始量產30納米芯片

  •   海力士半導體發言人Park Seong Ae周四表示,公司將從明年第一季度開始量產30納米芯片。   這一表態證實了韓國網絡新聞媒體edaily此前的相關報道。
  • 關鍵字: 海力士  30納米  

海力士期望大陸市場能給其帶來轉機

  •   全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業績走弱,營運獲利下滑加上淡季效應與產品價格走跌等因素,有鑒于大陸市場潛力巨大,該公司擬加碼大陸資本投資金額,希望借此刺激營收。海力士大陸區負責人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時表示,公司計劃提高大陸廠制程技術,以生產高階晶片。     
  • 關鍵字: 海力士  DRAM  

海力士M8產線將以代工為重心

  •   海力士半導體(Hynix)M8產線未來將以代工事業為重心。據南韓電子新聞報導,近期海力士以部分IC設計公司為對象,提出運用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導體、發光二極管(LED)驅動芯片、顯示器用驅動芯片(DDI)、傳感器專門IC設計等企業皆為協商對象。   
  • 關鍵字: 海力士  閃存  

海力士半導體將投資2.31億美元以提高芯片產能

  •   11月19日電全球第二大計算機存儲芯片制造商海力士半導體(Hynix Semiconductor)周五表示,計劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),,以提高和升級芯片產能。   該公司對證交所表示,上述投資將于12月底做出。
  • 關鍵字: 海力士  芯片  

海力士Q3獲利翻5倍

  •   受惠于出貨成長及轉進優勢芯片的策略奏效,南韓海力士半導體第三季營業利益創下歷史次高記錄。海力士預估,內存芯片價格將于明年第一季開始止跌回穩。   海力士周四公布,第三季營業利益為1.01兆韓元(8.849億美元),超越市場預期的9610億韓元,并較去年同期的2090億韓元大幅成長近5倍,同時逼近上一季創下的1.05兆韓元的歷史新高。   
  • 關鍵字: 海力士  DRAM  

海力士擬明年量產20納米NAND Flash

  •   韓國半導體廠海力士(Hynix)計劃2011年中以20納米制程量產NAND Flash。此20納米制程快閃存儲器可應用于手機或平板計算機(Tablet PC)等裝置,相較26納米存儲器,晶圓(wafer)產出量提高約25%。   
  • 關鍵字: 海力士  DRAM  20納米  

三星、海力士4Q營收不樂觀

  •   DRAM存儲器半導體價格跌勢持續第5個月,韓廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導體(Hynix)等存儲器公司2010年第4季將難避免營收惡化的危機。     
  • 關鍵字: 海力士  DRAM  

景氣雖不明 海力士仍持續投資30納米制程

  •   雖然在經濟前景不明的情況下,半導體產業景氣亦受到連帶影響,不過全球排名第2的半導體大廠海力士(Hynix)仍計劃對轉進30納米制程持續加碼,以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(Elpida)等大廠競爭的優勢。   
  • 關鍵字: 海力士  DRAM  30納米  

海力士:股份收購者將出現

  •   據韓國電子新聞報導,目前韓國有幾間業者對海力士(Hynix) 股份拋售顯露興趣。海力士理事議長金鍾甲表示,韓國企業中有業者表示對海力士股份有興趣,早晚會對外宣布收購立場。   金鍾甲在接受電子新聞訪談時表示,由于存儲器產業競爭構圖產生變化,且海力士的競爭力更強化,韓國業者對海力士的表現皆抱持正面的態度。   雖然主要是由債權團執行海力士股份拋售,金鍾甲以理事會議長身分也積極接觸海力士潛在收購者。海力士近期以來對拋售股份的官方說法維持沒有表明收購意愿的企業,但金鍾甲此次的發言則暗示禁止拋售作業已進行
  • 關鍵字: 海力士  存儲器  

今年全球芯片廠商資本開支將增長一倍

  •   據國外媒體報道,市場研究公司Gartner星期二稱,2010年全球芯片廠商的資本開支將比2009年增長將近一倍,因為在去年的經濟衰退之后,芯片廠商渴望進行更多的投資。   Gartner稱,全球芯片廠商2010年的資本開支將達到507億美元,比2009年增長96%。由于經濟衰退,全球芯片廠商2009年的資本開支是259億美元,比2008年減少了41%。   Gartner副總裁Klaus Rinnen在聲明中稱,2010年半導體市場的強勁增長推動半導體資本開支增長到創紀錄的高水平。   隨著半導
  • 關鍵字: 海力士  芯片  
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