sk 海力士文章最新資訊

搶標(biāo)東芝半導(dǎo)體，海力士攜手貝恩資本組國(guó)際聯(lián)盟

　　東芝半導(dǎo)體事業(yè)出售案，各陣營(yíng)搶翻天，比口袋深度，也比經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)招牌。最新消息指出，SK海力士為求順利出線，已與美國(guó)私募基金貝恩資本(Bain Capital)結(jié)盟，將合伙出資競(jìng)標(biāo)。　　海力士合伙貝恩資本，若能成功吃下東芝半導(dǎo)體，將一躍成為全球第二大NAND快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)商。對(duì)于上述消息，海力士拒絕對(duì)上述消息發(fā)表評(píng)論。　　觀察家指出，海力士其實(shí)把貝恩資本當(dāng)招牌，目的是想吸引具競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力的日本投資人入伙，借以打造國(guó)際級(jí)經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)來吸引東芝芳心。　　據(jù)日前媒體報(bào)導(dǎo)，鴻海準(zhǔn)備3兆韓圜搶標(biāo)東芝半導(dǎo)體，而海
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手機(jī)實(shí)現(xiàn)512GB容量不是夢(mèng)：72層3D NAND閃存問世

　　隨著APP體積不斷擴(kuò)大，以及照片、視頻等文件逐漸累積，消費(fèi)者再難回到被16GB ROM支配的時(shí)代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲(chǔ)容量翻番，最高達(dá)到了256GB。大容量閃存能夠提高數(shù)據(jù)并行處理的效率，但是256GB就夠了嗎?　　　　日前，海力士(SK Hynix)推出業(yè)界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB)，閃存芯片封裝后的最高容量將達(dá)到512GB。　　
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海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片適合未來iPhone

存儲(chǔ)時(shí)代的到來
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斥資174億美元富士康或聯(lián)手海力士競(jìng)購(gòu)東芝閃存業(yè)務(wù)

　　日本東芝正準(zhǔn)備對(duì)外轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。據(jù)外媒最新消息，東芝已經(jīng)啟動(dòng)了正式的收購(gòu)招標(biāo)程序，可能對(duì)外轉(zhuǎn)讓全部資產(chǎn)，另外富士康集團(tuán)有可能和韓國(guó)海力士聯(lián)手展開收購(gòu)。　　據(jù)日經(jīng)新聞等媒體報(bào)道，東芝已經(jīng)對(duì)外啟動(dòng)了競(jìng)購(gòu)招標(biāo)程序，各家收購(gòu)方可以提出報(bào)價(jià)。據(jù)稱，如果報(bào)價(jià)滿意，東芝有可能對(duì)外轉(zhuǎn)讓百分之百的資產(chǎn)，即不再保留任何股權(quán)。　　六月敲定買家　　東芝已經(jīng)將閃存業(yè)務(wù)剝離為獨(dú)立公司，定名為“東芝存儲(chǔ)公司”。按照最初計(jì)劃，東芝只準(zhǔn)備引入外部股東，讓其獲得兩成股權(quán)。但是隨著東芝對(duì)核電資產(chǎn)
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海力士謀劃72層堆疊閃存：?jiǎn)晤w輕松1TB

　　如今各種設(shè)備對(duì)于NAND閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續(xù)改進(jìn)技術(shù)，尤其是強(qiáng)化3D堆疊設(shè)計(jì)。SK海力士就計(jì)劃在今年量產(chǎn)72層堆疊閃存。　　2015年，SK海力士量產(chǎn)了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。　　2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類型改成TLC，重點(diǎn)單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達(dá)到4096Gb(512GB)。　　2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
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SK收購(gòu)全球第四大半導(dǎo)體硅晶圓廠商LG Siltron

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，SK接手經(jīng)營(yíng)LG半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體項(xiàng)目大交易。SK方面認(rèn)為，他們實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體項(xiàng)目的垂直整合，LG方面則認(rèn)為這是“選擇和集中”戰(zhàn)略的成果。　　SK于23日舉行理事會(huì)，決定以6200億韓元(約合人民幣36.6億元)收購(gòu)LG所擁有的LG Siltron51%的股份。LG Siltron是制造半導(dǎo)體芯片基礎(chǔ)材料——半導(dǎo)體硅晶片的專門企業(yè)，據(jù) SK 指出，LG Siltron 2015 年?duì)I收為 7,774 億韓元、盈利為 54 億韓元，
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SK接手LG半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 實(shí)現(xiàn)垂直整合

　　據(jù)報(bào)道，SK接手經(jīng)營(yíng)LG半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體項(xiàng)目大交易。SK方面認(rèn)為，他們實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體項(xiàng)目的垂直整合，LG方面則認(rèn)為這是“選擇和集中”戰(zhàn)略的成果。　　SK于23日舉行理事會(huì)，決定以6200億韓元(約合人民幣36.6億元)收購(gòu)LG所擁有的LG Siltron51%的股份。LG Siltron是制造半導(dǎo)體芯片基礎(chǔ)材料——半導(dǎo)體硅晶片的專門企業(yè)，據(jù) SK 指出，LG Siltron 2015 年?duì)I收為 7，774 億韓元、盈利為 54 億韓元，2016
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SK-2聲控插座電路圖

SK-2聲控插座電路圖
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廠商爭(zhēng)相投資 3D NAND Flash前景不妙？

　　廠商爭(zhēng)相投資，3D NAND Flash前景不妙?據(jù)傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產(chǎn)，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產(chǎn)能也將于明年下半全面開出，屆時(shí)3D NAND可能會(huì)從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過剩的狀況。　　BusinessKorea 6日?qǐng)?bào)道，NAND需求爆發(fā)，據(jù)悉三星電子決定平澤廠完工時(shí)間提前三個(gè)月，改在明年三、四月開始生產(chǎn)第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工，加上原本的華城(Hwaseong)廠，屆時(shí)三星3D NAND產(chǎn)能將從
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)拆臺(tái)三星與海力士的存儲(chǔ)帝國(guó)

　　因宣布入股臺(tái)灣多家半導(dǎo)體公司，而鬧得滿城風(fēng)雨的中國(guó)清華紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)，銷聲匿跡一段時(shí)間，現(xiàn)在又重現(xiàn)江湖。　　這回，他將掌管整合后的中國(guó)記憶體最新國(guó)家隊(duì)──資本額一八九億人民幣(約八七七億臺(tái)幣)、于七月二十六日宣布成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)。　　經(jīng)營(yíng)房地產(chǎn)致富的趙偉國(guó)，過去接受記者專訪時(shí)，一再?gòu)?qiáng)調(diào)他一系列遍布美國(guó)、臺(tái)灣的半導(dǎo)體業(yè)投資，純粹出于商業(yè)考量，并非中國(guó)政府授意。　　然而，“長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)”這個(gè)新身分，代表他已是中國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體政策的主導(dǎo)者之一。　　根據(jù)報(bào)導(dǎo)，湖北省
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10大韓企裁員三星砍6千人最狠

全球景氣不佳，今年上半年南韓主要企業(yè)的投資與雇用紛紛陷入萎縮。
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三星海力士DRAM市場(chǎng)占有率繼續(xù)增長(zhǎng) 營(yíng)收不增反降

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動(dòng)DRAM逾六成市場(chǎng)(60.4%)，不僅穩(wěn)居全球龍頭，也創(chuàng)下歷史新高。　　盡管如此，受DRAM平均報(bào)價(jià)下滑沖擊，三星當(dāng)季行動(dòng)DRAM營(yíng)收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競(jìng)賽爭(zhēng)奪市占率必需付出的代價(jià)。　　SK海力士狀況類似，市占率雖然進(jìn)步0.8個(gè)百分點(diǎn)，但同期間行動(dòng)DRAM營(yíng)收來卻較前期倒退23.1%，成為9.03億美元。加總?cè)桥c海力士市占率，從去年第四
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大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當(dāng)其沖

　　工研院 IEK認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM已勢(shì)在必行，未來若中國(guó)大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。　　聯(lián)電接受中國(guó)大陸福建省晉華集成電路委托，開發(fā)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù)，引起各界關(guān)注。　　工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長(zhǎng)楊瑞臨認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM似乎已勢(shì)在必行。　　楊瑞臨指出，中國(guó)大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展，除這次委托聯(lián)電開發(fā)技術(shù)的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業(yè)，
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SK欲在中國(guó)建造電動(dòng)車電池工廠

　　韓國(guó)第三大企業(yè)集團(tuán)鮮京集團(tuán)(SK Group)正在繼續(xù)擴(kuò)張電動(dòng)車鋰電池生產(chǎn)線，這次將目光投向了電動(dòng)汽車增速?gòu)?qiáng)勁的中國(guó)，計(jì)劃在中國(guó)建設(shè)一座電動(dòng)車電池工廠。　　據(jù)外媒4月20日?qǐng)?bào)道，鮮京集團(tuán)旗下公司SK Innovation Co.(096770.SE，下稱SK Innovation)表示，正與幾家公司談判，打算聯(lián)手在中國(guó)興建一座電動(dòng)車電池工廠，具體消息將在近期公布。　　“SK Innovation看中的是中國(guó)的新能源汽車市場(chǎng)。”一家電動(dòng)汽車電池廠商的內(nèi)部人士對(duì)界面新聞?dòng)浾?/li>
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SK Hynix公開第二代服務(wù)器用SSD

　　SK海力士(SK Hynix)正式發(fā)表第二代36層3D NAND Flash服務(wù)器用固態(tài)硬碟(SSD)，借由推出3D NAND Flash固態(tài)硬碟及其他高規(guī)格產(chǎn)品，積極搶攻企業(yè)市場(chǎng)。　　據(jù)亞洲經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，日前SK海力士參加在大陸深圳召開的英特爾開發(fā)者論壇(IDF)，并公開采用第二代3D NAND Flash與控制器的服務(wù)器用NVMe介面固態(tài)硬碟。據(jù)了解，SK海力士從2016年初開始量產(chǎn)36層3D NAND Flash。　　SK海力士公開的1TB NVMe介面固態(tài)硬碟，采用3D NAND Flas
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