MAX4236/MAX4237為高精度運放，在不采用斬波技術的情況下取得了優異的低失調電壓和低失調電壓溫度系數。MAX4236和MAX4237的典型大信號開環電壓增益為120dB。這些器件的輸入偏置電流極小，僅為1pA。MAX4236的增益帶寬
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MAX 4236 4237 SOT
磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產品的領導廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進一步強化了該公司在MRAM領域的領導地位。現在，所有需要無電數據保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發性、高性能、以及高可靠性優勢的MRAM技術。
Everspin科技公司首席運營官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續快速擴展MRAM產品組合，以協助更多客戶實現產品差異化的目標。根據產品發展藍圖，我們將不斷提高MR
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Everspin MRAM
根據韓聯社(Yonhap)報導，韓國政府宣布，已與半導體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進行磁性隨機存儲器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發專案，以維持韓國在半導體產業的領先地位。
韓國知識經濟部半導體與面板部門首長 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研發完成，韓國于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲器芯片市場，并預估該市場于2
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Samsung 芯片制造 MRAM
去年，一場嚴重的“價格寒流”席卷了整個存儲芯片領域，存儲芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業界巨頭三星電子2007年第四季度財務報告顯示，由于計算機存儲芯片的平均銷售價格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DRAM生產商爾必達(Elpida)也宣布其銷售額下滑了34%，并且第三財季凈虧損達1.132億美元。臺灣地區廠商茂德科技也因存儲芯片價格下跌和供過于求而宣布虧損。
存儲芯片市場陰霾的表現，迫使許多廠商削減生產或推遲了Fab的投產計劃。美光(Micron)近期就宣布，將
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三星 DRAM 存儲芯片 MRAM PRAM
磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點。
根據消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經獲得了幾個風險投資公司的加入。據悉他們將聯合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術公司，側重于研發制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關產品的市場份額”。
MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
相變內存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內存業界熱門研發主題之一，針對此一新式內存技術發展趨勢與廠商專利現況，工研院IEK-ITIS計劃發表最新研究報告指出，臺灣地區已有不少廠商投入該技術的研發，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領域發展機會較大。 工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當時半導體工藝技術，相變化材料在2000年以前的商業應用還是以光盤片為主
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Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布，推出MCP73811和MCP73812（MCP7381X）鋰離子/鋰聚合物電池充電管理控制器。全新單電池器件采用5引腳SOT-23封裝，可提供全集成充電管理功能，及高達500 mA的可選或可編程充電電流。新產品兼容USB，同時片上配備集成電流感應、傳輸晶體管及反向電池保護功能，實現更小巧、更具成本效益的設計。
MCP7381X充電管理控制器符合USB輸出功率規格，因此終端用戶
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Microchip SOT-23封裝 電池充電器 電源技術 模擬技術 封裝
Microchip Technology近日宣布，推出MCP73811和MCP73812（MCP7381X）鋰離子/鋰聚合物電池充電管理控制器。全新單電池器件采用5引腳SOT-23封裝，可提供全集成充電管理功能，及高達500 mA的可選或可編程充電電流。新產品兼容USB，同時片上配備集成電流感應、傳輸晶體管及反向電池保護功能，實現更小巧、更具成本效益的設計。 MCP7381X充電管理控制器符合USB輸出功率規格，因此終端用戶無需連接外部電源適配器，就可以通過多數個人計算機的US
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Microchip SOT-23封裝 單節鋰離子/鋰聚合物電池充電器 電源技術 模擬技術 封裝
Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結構，由兩個反向對準的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個SAF位單元。SAF三明治結構產生磁致電阻效應的能力并不會因為它的混合式結構而受到影響。對準和反對準只取決于MTJ結構兩側相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
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安森美半導體推出采用小型SOT-723封裝，特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代功率MOSFET，這些新低臨界值功率MOSFET采用安森美半導體領先業內的Trench技術來取得能夠和SC-89或SC-75等大上許多封裝MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現。 NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N通道MOSFET，NTK3139P則是-20 V, -780 mA的P通道MOSFET，兩款器件在高于200 mA工作電
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SOT-723 安森美 單片機 封裝 功率MOSFET 嵌入式系統 封裝
摘要： Freescale運用自旋電子技術制作了新的非易失性RAM，本文對此進行了詳細介紹。關鍵詞： MRAM；自旋電子；位線；字線
在半導體業界，微處理器是一種更有魅力，利潤更高，而且更難以設計的產品，而內存芯片在推動半導體技術向前發展的過程中則會起到關鍵性的作用。Intel早期的成功，來源于其1970年推出的、當時業界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業界銷售情況最好的內存芯片，在很多新的系統設計中取代了磁芯存儲器。DRAM在過去的歲月中成為半導體技術發展
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Avago宣布推出一款低熱阻SOT-89封裝的經濟型高線性度硅雙極達林頓放大器ADA-4789，其工作頻率最高可達2.5GHz。ADA-4789的絕對穩定性和寬帶寬性能，使其成為蜂窩基站的IF(中頻)放大器和預驅動放大器應用的理想選擇。該放大器還適用于直播衛星和有線電視基礎設施的IF放大器。此外，其內置的50歐姆匹配電路還簡化了設計的復雜程度，縮短了產品投放市場的周期。 ADA-4789是Avago廣受贊譽的硅雙極達林頓放大器系列中新增的產品。在3.8&nb
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