日本東北大學2016年3月21日宣布，開發成功了可超高速動作的新型磁存儲器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎元件，并實際驗證了動作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實現的小電流動作和高速動作。
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三種自旋軌道力矩磁化反轉元件構造。(a)與(b)為以前的構造，(c)為此次開發的構造(該圖摘自東北大學的發布資料) (點擊放大)
PC及智能手機使用的SRAM及DRAM等半導體存儲器，因構成元件的微細化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM
英飛凌科技股份公司采用SOT-223封裝進一步擴充CoolMOS? CE產品系列的陣容。對于英飛凌CoolMOS而言，該封裝是針對DPAK的一種經濟性備選方案，同時能在某些耗散功率較低的設計中節省空間。去除了中間引腳的SOT-223封裝完全兼容典型的DPAK封裝，可被用于直接替換DPAK。該新封裝瞄準的是客戶在LED照明和手機充電器等應用的設計。 通過簡便易行的引腳對引腳替換實現低成本 全新SOT-223封裝能滿足價格敏感型應用對于降低成本的需求。這可以通過縮小封裝尺寸，同時保持封裝與原
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英飛凌 SOT-223
英飛凌科技股份公司采用SOT-223封裝進一步擴充CoolMOS? CE產品系列的陣容。對于英飛凌CoolMOS而言，該封裝是針對DPAK的一種經濟性備選方案，同時能在某些耗散功率較低的設計中節省空間。去除了中間引腳的SOT-223封裝完全兼容典型的DPAK封裝，可被用于直接替換DPAK。該新封裝瞄準的是客戶在LED照明和手機充電器等應用的設計。 通過簡便易行的引腳對引腳替換實現低成本 全新SOT-223封裝能滿足價格敏感型應用對于降低成本的需求。這可以通過縮小封裝尺寸，同時保持封裝與原
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英飛凌 SOT-223
記憶體產業中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態隨機存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優勢的非揮發性記憶體。如今，透過磁阻隨機存取記憶體(MRAM)，可望解決開發這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題
遺憾的是，實際讓非揮發性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(Eindhoven University of Technolo
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MRAM 存儲器
不同存儲器都有其各自的優勢和缺點，由消費類產品驅動的存儲器市場在呼喚性能更優存儲器技術，當然也要價格便宜。
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MRAM SRAM
DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限，業界認為次世代記憶體“磁電阻式隨機存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場。
韓媒BusinessKorea 16日報導，南韓半導體業者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合采用高介電常數(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM
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DRAM MRAM
東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發下一代半導體制程技術，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業決定集中火力爭取半導體產業未來主導權，取代相互耗損的專利訴訟。
據ET News報導，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關系。2007年締結專利授權合約，并自2011年開始共同開發下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導體技術外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規模的民事賠償，雙方關系因此破裂。
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東芝 SK海力士 STT-MRAM
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LT3014B 的軍用 MP 級版本，該高電壓、微功率、低壓差穩壓器能夠提供 20mA 輸出電流。LT3014B 可在 3V 至 80V 的連續輸入電壓范圍內工作，并產生 1.22V至 60V 的輸出電壓和一個 350mV 的低壓差，非常適用于汽車、48V 電信備份電源和工業控制等應用。該器件具有非常低的靜態電流，工作時為 7µA，而停機時為 1µA，這使其成為電池供電型存儲器的“保
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凌力爾特 SOT-23 LT3014B
近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存，已經存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。
MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，等于綜合了RAM、Flash的優點。
TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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閃存 MRAM
MRAM以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經推出這種存儲技術的原型。
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閃存 MRAM
市場研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發展。
CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發特性，MRAM/STTMRAM市場營收規模可望由2013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
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MRAM CMOS
本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。鐵電存儲器(FeRAM)鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。 當前應用于存儲
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FeRAM MRAM OUM 非易失性存儲器
專門授權自旋電子(spintronics)磁阻隨機存取內存(MRAM)技術的自旋電子組件開發商NVR公司表示，該公司已于美國聯邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權訴訟，以捍衛其自旋電子 MRAM 專利技術。
NVE公司指出，在美國明尼蘇達州地方法院提起的這項訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項 MRAM 專利。根據NVE公司表示，該侵權訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續使用該技術，并針對其侵權行為造成的NVE財務損失進行
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NVE 內存 MRAM
法國研究機構SPINTEC與開發MRAM技術的Crocus Technology共同開發出了將熱輔助切換(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術。并在2011年10月31日于美國亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開幕的磁技術國際會議“56th MMM”的首日進行了發布。
TAS技術是一項邊用加熱器對MTJ元件存儲層進行加熱，邊寫入數據的技術。對存儲層進行加熱后，矯頑力會
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MRAM 20nm
韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉移矩磁阻RAM)技術,兩家公司均認為這項技術是非常重要的下一代非易失性存儲技術之一。一旦有關的技術研發完成之后，兩家公司計劃成立一 家專門生產STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作為這次合作戰略的其它部分，兩家公司還將擴大專利交叉授權的范圍。
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Hynix STT-MRAM
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