隨著更多業者進入MRAM市場，STT執行長Barry Hoberman在日前受訪時談到了MRAM帶來的商機及其可能取代現有主流存儲器技術的未來前景。
或許有人會把2016年形容為磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)市場的引爆點。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執行長Barry Hoberman一如既往地表達肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業者鋪路。
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MRAM DRAM
MRAM是新興的存儲器，為晶圓制造代工業競爭主軸之一。先講結論，MRAM的最近發展令人興奮。它雖然是新興的存儲器，卻成為傳統上以邏輯線路為主的晶圓制造代工業競爭主軸之一。
MRAM研發的挑戰一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機器設備廠商也出力甚多，這是幾家大機器設備廠商先后投入這即將興起設備市場良性競爭的結果。MRAM相關制程主要有磁性材料的蝕刻(etcher)與濺鍍(sputter)兩種設備，最近新機型的濺鍍設備表現令人驚艷，這將有助于晶圓廠MRAM制造良率的提升
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DIGITIMES MRAM
晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現由邏輯芯片擴及內存市場。臺積電這次重返內存市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內存產業的新潮流，值得密切關注。
臺積電技術長孫元成日前在臺積電技術論壇，首次揭露臺積電研發多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取內存)和eRRAM(嵌入式電阻式內存)分別訂明后年進行風險性試產，主要采用22奈米制程，這將是臺積電因應物聯網、行動裝置、高速運算計算機和智能汽車等四領域所提供效能更快速和耗電更低的新內存。
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臺積電 MRAM
被視為次世代存儲器技術之一的自旋力矩傳輸存儲器(STT-MRAM)，在2016年12月舉辦的國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產品，以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術實證。
MRAM算是次世代非揮發性存儲器科技中出現較早的一種，其記憶單元以磁隧結(MTJ)組成，由于占用體積大與耗電量高，最大容量約16Mb，僅適用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
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三星 MRAM
在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會議(IEDM)上，來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊預計將發表多項有關磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)的最新發展。
此外，三星的研發團隊以及旗下LSI業務部門顯然也將再次發表其致力于開發MEMS的最新成果。
三星將分別透過口頭簡報以及海報展示雙管齊下的方式，介紹在28nm CMOS邏輯制造制程中嵌入8Mbit自旋傳輸(STT) MRAM等主題。在該公司發表的論文主題中，研究人員們將這種電路形
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28nm MRAM
臺灣磁性技術協會邀請產學人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對該主題介紹市場與技術概況。產業界與學術界人士交流該項技術的看法，對于磁性存儲器(MRAM)的市場前景樂觀，并認為臺灣產官學研有迫切攜手推動的必要性。
在市場發展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲器與儲存市場會由非揮發性存儲器所主宰，在低耗電市場上，包括L1 Cache在內，嵌入式存儲器可望為embedded MRAM一統，而在重運算市場上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲器以及
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MRAM
近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統制造商任職的設計師。“您碰巧在設計中用過60V的負載開關嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
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SOT-23 MOSFET
磁性隨機存取存儲器(MRAM)是一種非易失性存儲器技術，正在作為一種主流的數據存儲技術被業界所廣泛接受。它集成了一個磁阻器件和一個硅基選擇矩陣。MRAM的關鍵屬性有非易失性、低電壓工作、無限次讀寫的耐用性、快速
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隨機存取 邏輯單元 MRAM
存儲器是當今每一個計算機系統、存儲方案和移動設備都使用的關鍵部件之一。存儲器的性能、可擴展性，可靠性和成本是決定推向市場的每個系統產品經濟上成功或失敗的主要標準。目前，幾乎所有產品都使用一種或組合使用
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MRAM 存儲器
MRAM市場可能會在明年開始變得越來越“擁擠”──開發OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術的美國業者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標是在明年第一季開始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產品正式上市。
STT執行長Barry Hobe
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STT MRAM
三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預計在3年內展開MRAM量產，也引起了業界高度的注目。
韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統DRAM、SRAM的新世代存儲器技術。與目前的NANDFlash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅動的非揮發性存儲器，不使用時也完全不需要電力。
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三星 MRAM
SamsungFoundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。
三星晶圓代工業務(SamsungFoundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。
SamsungFoundry行銷暨業務開發負責人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28
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存儲器 MRAM
據海外媒體報道，DRAM 發展快到盡頭，磁性存儲器(MRAM)和相變存儲器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲器(STT-MRAM)”的研究出現突破，有望加速走上商用之途。
韓媒 BusinessKorea 11 日報導，IBM 和三星在電機電子工程師學會(IEEE)發布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發的 STT-MRAM 的生產技術，成功實現 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構，理論上表現超越 DRAM。
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IBM MRAM
在28nm晶片制程節點的嵌入式非揮發性記憶體競賽上，自旋力矩轉移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領先的位置。
比利時研究機構IMEC記憶體部門總監Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應28nm CMOS制程的要求。
28nm平面CMOS節點可望具有更長的壽命，以因應更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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MRAM CMOS
英飛凌科技(InfineonTechnologies)擴展采用SOT-223封裝的CoolMOSCE產品組合。采用此封裝的英飛凌CoolMOS，可在DPAK之外提供另一項具成本效益的選擇，也能在部份設計中節省空間，并降低功耗。SOT-223封裝不含中間針腳，完全相容于一般DPAK封裝，可直接取代DPAK。此全新封裝專為LED照明及行動充電器應用所設計。
新型SOT-223封裝能夠滿足成本縮減的需求，是價格敏感應用的理想選擇。封裝尺寸縮小后，不僅降低了成本，同時維持與既有DPAK封裝的相容性。采用
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英飛凌 SOT-223
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