三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預計在3年內展開MRAM量產，也引起了業界高度的注目。

　　韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統DRAM、SRAM的新世代存儲器技術。與目前的NANDFlash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅動的非揮發性存儲器，不使用時也完全不需要電力。

　　MRAM的另外一項特征是壽命時間無限。NANDFlash反覆讀寫后，壽命就會大幅縮短。雖然最近靠著技術的發展，已經延長了NANDFlash的使用壽命，但仍未出現顛覆性的改善技術。

　　MRAM自2007年亮相，2011年三星電子買下擁有STT-MRAM技術的開發公司Grandis。而SK海力士(SKHynix)則是與東芝(Toshiba)合作，共同研發MRAM技術。

　　然而，這樣比NANDFlash讀寫速度還快，又沒有壽命問題的MRAM卻有一個致命的缺點，那就是50納米以下的微細制程相當困難，費用又極為龐大。過去這段期間，半導體大廠如英特爾(Intel)、美光(Micron)等雖然積極進行MRAM的研發，但到目前為止，都未能研發出比NANDFlash更高整合度、更低生產價格的MRAM，以致遲遲不能商品化。

　　在此次三星與IBM共同研發成功研發11納米MRAM之后，情況將有望大幅轉變。用在物聯網(IoT)裝置感測器、移動裝置等領域的機會將會無窮無盡。長期來看，更有望可以取代NANDFlash市場。

　　另一方面，三星與IBM除了在次世代存儲器事業上有合作以外，也傳出正在研擬于人工智能(AI)、半導體事業的合作方案。