vishay intertechnology 文章
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- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有為PWM優化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。
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Vishay DrMOS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，為廣受歡迎的低ESR TR3高容量、高電壓模壓鉭貼片電容器新增一種W外形尺寸(EIA 7316)。新外形尺寸為7.3mm x 6.0mm，高3.45mm，使電容器的容量和電壓范圍擴展到現有A至E外形尺寸以外。
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Vishay 鉭貼片電容器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，在公司網站(http://www.vishay.com)上推出日文、中文和韓文的企業宣傳視頻。該視頻展示了Vishay的系列產品、設計和制造資源、可信賴的高品質元器件交付能力、廣泛的應用支持，以及遍布全球的供應鏈。
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Vishay 元器件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用0806、1008、1111和1515外形尺寸的新系列低外形、高電流電感器---IFSC。IFSC器件具有低至1.0mm的超薄外形和高的最大頻率，提供0.47μH～47.0μH的標準感值。
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Vishay 高電流電感器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其TANTAMOUNT? Hi-Rel COTS T97和商用的工業級597D系列固鉭貼片電容器，以及ThunderFET? SiR880DP 80V N溝道功率MOSFET入選2011年Design News雜志電子和測試類Golden Mousetrap Best Product的最終評選名單。
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Vishay 固鉭貼片電容器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布9款新系列低外形、表面貼裝的標準、快速和超快雪崩整流器---AS1Px、AS3Px和AS4Px標準整流器，AR1Px、AR3Px和AR4Px快速整流器，AU1Px、AU2Px和AU3Px超快整流器。整流器的雪崩容量達20mJ EAS，正向電流高達4A，采用節省空間的小尺寸SMP和SMPC封裝。
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Vishay 雪崩整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負載開關--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低開關導通電阻能夠提高效率，150μs的典型受控軟啟動斜率能夠限制涌入電流，使受控的啟動過程更加平滑，從而將開關噪聲降至最小。
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Vishay 負載開關
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd榮獲TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的優秀供應商獎。Vishay是全球最大的分立半導體和無源電子器件制造商之一，TTI是全球領先的授權分銷商，專門從事無源、連接器、機電產品和分立器件的分銷。
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Vishay 分立半導體
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款IHLP?低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11，該器件在同類器件當中首次采用3232外形尺寸。IHLP-3232DZ-11的占位面積為8.3mm x 8.8mm，高度僅有4.0mm，低至1.35m?的最大DCR和從0.22μH至47.0μH的標準感值可提供系統所需的高效率。
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Vishay 電感器
- Vishay宣布，在Vishay網站上推出可幫助設計者為其應用選擇合適的繞線電阻的免費在線脈沖能量計算器。
Vishay新的Joule School在線脈沖能量計算器使設計者能夠確定在其應用中在電阻上通過的脈沖能量。計算器非常適合為承受容性充電/放電或閃電浪涌等大脈沖應用來選擇合適的繞線電阻，包括電話塔、雷達系統、風車、焊接機、測試設備和電源等。
Joule School簡單易用，設計者可以從三種脈沖類型中選擇一種進行計算，包括矩形脈沖、容性充電/放電脈沖和指數衰減脈沖。在選擇完脈沖類型后
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Vishay 計算器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優值系數。
40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最
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Vishay MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
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Vishay MOSFET SiA923EDJ
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的熱增強Thin PowerPAK? SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內，新的SiA444DJT實現了N溝道MOSFET當中業內最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導通電阻。
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Vishay 功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出增強型PLT系列精密低TCR薄膜電阻，將容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的溫度范圍內，這些器件具有低至±5ppm/℃的標準TCR。
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Vishay 薄膜電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業內最低的導通電阻。
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Vishay MOSFET
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