10月17日，國(guó)電南瑞科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“國(guó)電南瑞”）發(fā)布公告稱(chēng)，擬與國(guó)家電網(wǎng)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“國(guó)網(wǎng)公司”）下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聯(lián)研院”）共同投資設(shè)立南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以工商部門(mén)核準(zhǔn)名稱(chēng)為準(zhǔn)，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“合資公司”），由該合資公司實(shí)施IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的部分投資。

公告指出，國(guó)電南瑞擬以IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的部分募集資金55,864.45萬(wàn)元出資，占合資公司69.8305625%股權(quán)，聯(lián)研院以技術(shù)作價(jià)出資24,135.55萬(wàn)元（該出資技術(shù)的評(píng)估值已經(jīng)國(guó)有資產(chǎn)管理單位備案），占合資公司30.17%股權(quán)。涉及變更實(shí)施主體的計(jì)劃投資額55,864.45萬(wàn)元，占IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目投資額的33.98%，占公司募集資金總籌資額的9.15%，相關(guān)募集資金用途、建設(shè)內(nèi)容、地點(diǎn)等不變。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策重點(diǎn)支持發(fā)展的功率半導(dǎo)體器件，技術(shù)難度大、研發(fā)及產(chǎn)線建設(shè)周期長(zhǎng)、資金投入大,核心技術(shù)一直被國(guó)外企業(yè)壟斷，目前國(guó)內(nèi)高端人才缺乏，國(guó)內(nèi)僅有少量廠商開(kāi)展高壓IGBT研制業(yè)務(wù)。聯(lián)研院是國(guó)家電網(wǎng)公司直屬科研單位，國(guó)內(nèi)首家專(zhuān)業(yè)從事全球能源互聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備開(kāi)發(fā)的高端科研機(jī)構(gòu)。

聯(lián)研院于2010年開(kāi)始研究功率半導(dǎo)體器件，擁有100多人的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和先進(jìn)的功率器件中試線，是國(guó)內(nèi)少數(shù)掌握高壓IGBT芯片設(shè)計(jì)技術(shù)的單位之一。在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，聯(lián)研院承擔(dān)國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)（02專(zhuān)項(xiàng)）“國(guó)產(chǎn)高壓大功率IGBT模塊電力系統(tǒng)應(yīng)用工程”等攻關(guān)任務(wù)，自主研發(fā)了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件，其中3300V/1500A壓接式和焊接式IGBT器件，掌握成套的設(shè)計(jì)、制備等核心技術(shù)，打破了國(guó)外技術(shù)壟斷，成功研制1200V至6500V碳化硅二極管樣品，實(shí)現(xiàn)了新一代電力電子器件的重大創(chuàng)新突破。

國(guó)電南瑞指出，通過(guò)與聯(lián)研院合作，有利于公司降低IGBT等功率器件技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品批量化生產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn)，保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導(dǎo)體芯片及模塊研制和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。為加快公司產(chǎn)業(yè)鏈延伸和產(chǎn)業(yè)升級(jí)，增強(qiáng)企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力，提高公司募集資金使用效率和效果，降低公司募投項(xiàng)目投資風(fēng)險(xiǎn)，公司擬以“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”部分募集資金出資與聯(lián)研院共同設(shè)立合資公司，并增加合資公司為該項(xiàng)目的實(shí)施主體。

公告顯示，經(jīng)中國(guó)證券監(jiān)督管理委員會(huì)《關(guān)于核準(zhǔn)國(guó)電南瑞科技股份有限公司向南瑞集團(tuán)有限公司等發(fā)行股份購(gòu)買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金的批復(fù)》（證監(jiān)許可[2017]2224號(hào)）核準(zhǔn)，公司以非公開(kāi)發(fā)行股份方式向7名特定投資者發(fā)行了人民幣普通股381,693,558股，發(fā)行價(jià)格為15.99元/股，本次發(fā)行募集資金總額為61.03億元元，扣除各項(xiàng)發(fā)行費(fèi)用83,23.94萬(wàn)元，實(shí)際募集資金凈額為60.2億元。上述募集資金已于2018年4月8日全部到位。

“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”是上述募集資金投資項(xiàng)目之一，根據(jù)原計(jì)劃，“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”全部由國(guó)電南瑞母公司實(shí)施，項(xiàng)目投資總額為164,388萬(wàn)元，項(xiàng)目建設(shè)期42個(gè)月，項(xiàng)目投產(chǎn)后第7年達(dá)到本項(xiàng)目預(yù)計(jì)的生產(chǎn)能力。截止2019年8月31日，該項(xiàng)目已累計(jì)使用募集資金2,370.53萬(wàn)元，占總投資1.44%，剩余募集資金162,017.47萬(wàn)元（不含利息）。

公告指出，公司本次擬增加“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的實(shí)施主體，以計(jì)劃用于該項(xiàng)目設(shè)備投資的部分募集資金出資，與聯(lián)研院以技術(shù)作價(jià)出資共同投資設(shè)立合資公司，即由該合資公司實(shí)施IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的部分投資。涉及變更實(shí)施主體的計(jì)劃投資額為55864.45萬(wàn)元，占“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”投資額的33.98%，占公司募集資金總籌資額的9.15%，相關(guān)募集資金用途、建設(shè)內(nèi)容、地點(diǎn)等不變。

國(guó)電南瑞表示，本次交易有利于募集資金投資項(xiàng)目的運(yùn)作和實(shí)施、提高募集資金的使用效率、加快募集資金投資項(xiàng)目的實(shí)施進(jìn)度。

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