隨著臺(tái)積電、英特爾、三星晶圓代工的先進(jìn)邏輯制程在下半年拉高產(chǎn)能量產(chǎn)，半導(dǎo)體廠的12英寸硅晶圓庫(kù)存已在第三季底調(diào)節(jié)至季節(jié)性正常水位。由于硅晶圓需求已在10月下旬回溫，且明年7、5納米邏輯制程、1z納米DRAM及100層以上3D NAND等進(jìn)入量產(chǎn)，對(duì)高端12英寸硅晶圓需求度高，法人看好環(huán)球晶圓、臺(tái)勝科最壞情況已過(guò)，第四季起進(jìn)入新的成長(zhǎng)循環(huán)。

半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈上半年受到美中貿(mào)易摩擦影響，包括晶圓代工廠、IDM廠、存儲(chǔ)器廠等均暫緩或放慢擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，加上產(chǎn)能利用率滑落，導(dǎo)致硅晶圓庫(kù)存水位逐季墊高，也造成硅晶圓價(jià)格松動(dòng)。以今年12英寸硅晶圓價(jià)格來(lái)看，合約價(jià)雖有長(zhǎng)約鎖住但仍緩跌，現(xiàn)貨價(jià)則出現(xiàn)20～30%的跌幅。第三季因?yàn)榘雽?dǎo)體廠端的硅晶圓庫(kù)存仍在去化階段，也造成環(huán)球晶圓、臺(tái)勝科等營(yíng)收表現(xiàn)旺季不旺。

環(huán)球晶圓因受到長(zhǎng)約保護(hù)，12英寸硅晶圓長(zhǎng)約涵蓋率高達(dá)90%，銷售價(jià)格變動(dòng)不大，第三季因應(yīng)客戶拉貨而將部分出貨遞延，合并營(yíng)收雖季減2.7%、年減5.7%達(dá)143.03億元（新臺(tái)幣，下同），但表現(xiàn)仍優(yōu)于預(yù)期。

至于臺(tái)勝科現(xiàn)貨比重較高，受到現(xiàn)貨價(jià)跌幅擴(kuò)大影響，第三季合并營(yíng)收季減11.6%，達(dá)25.27億元，更較去年同期大減40.7%，但10月下旬訂單已見(jiàn)回流，10月合并營(yíng)收止跌回溫、月增1.8%達(dá)8.95億元。

第四季以來(lái)，邏輯制程硅晶圓受惠于晶圓代工廠先進(jìn)制程投片量增加，產(chǎn)能利用率維持高檔，需求已見(jiàn)回溫且?guī)齑嫠豢吹綔p少，應(yīng)用在存儲(chǔ)器的拋光硅晶圓則仍受到DRAM及NAND Flash市場(chǎng)庫(kù)存過(guò)高影響。整體來(lái)看，半導(dǎo)體廠的庫(kù)存已在第三季底回到季節(jié)性正常水準(zhǔn)，第四季開(kāi)始增加采購(gòu)量，環(huán)球晶圓及臺(tái)勝科的12英寸硅晶圓出貨回升，代表市場(chǎng)最壞情況已過(guò)，價(jià)格也止跌回穩(wěn)。

至于明年硅晶圓市場(chǎng)能見(jiàn)度已明顯提高，臺(tái)積電、英特爾、三星等大廠今年資本支出不減反增，代表明年邏輯制程新產(chǎn)能將陸續(xù)開(kāi)出，包括臺(tái)積電及三星晶圓代工明年將進(jìn)入5納米世代，英特爾提高10納米產(chǎn)能及試產(chǎn)7納米制程。存儲(chǔ)器廠則加速1z納米DRAM、100層以上3D NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換。

法人表示，邏輯或存儲(chǔ)器先進(jìn)制程需要的硅晶圓價(jià)格較高，在出貨量持穩(wěn)回升下，看好環(huán)球晶圓、臺(tái)勝科的第四季營(yíng)收重回成長(zhǎng)軌道，而且毛利率表現(xiàn)也會(huì)同步提升。明年硅晶圓市況供需平衡，下半年旺季期間有機(jī)會(huì)見(jiàn)到價(jià)格止跌回升。

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