根據南亞科新聞稿，此座廠房總投資金額約為新臺幣3,000億元（約合人民幣696億元），將采用南亞科自主研發(fā)的10納米級制程技術生產DRAM芯片，及規(guī)劃建置EUV極紫外光微影生產技術，月產能約為45,000片晶圓。
此座先進晶圓廠，預估以7年分3階段投資，計劃于2021年底動工，2023年底完工，2024年開始第一階段量產。預期屆時可直接提供2,000個優(yōu)質工作機會，并間接創(chuàng)造產業(yè)鏈數千個就業(yè)機會。
南亞科董事長吳嘉昭表示，DRAM是所有電子產品智能化的關鍵元件，是半導體產業(yè)極為重要的一環(huán)。因應全球存儲器市場成長趨勢，此次南亞科投資興建先進晶圓廠，提升競爭力，讓南亞科技不僅是臺灣地區(qū)的DRAM領導者，更是全球關鍵存儲器供應商。
南亞科總經理李培瑛表示，2020年成功開發(fā)出10納米級DRAM記憶胞技術，并規(guī)劃2021年導入量產，未來可生產DDR5，LPDDR5及16Gb高容量等DRAM產品，以因應未來5G與智慧世代的發(fā)展。
李培瑛進一步表示，目前DRAM的需求在5G、IoT、消費性電子市場的帶動下，需求持續(xù)成長中。雖然市場報價與供需狀況會有所起伏，但都不影響長時間成長的大趨勢，使得擴產的作法并不擔心會有供過于求的風險。而如此，雖然不會快速提升南亞科的市占率，卻也不會讓市占率有所下滑。
李培瑛進一步表示，新廠的興建，屆時預計從第2代10納米級的DRAM制程開始導入，首階段預計會有15,000片的月產能。而在3階段完成建設之后，將為南亞科增加45,000片的月產能。這數量雖然相較目前每月70,000片的產能較少，但因為制程的提升，顆粒產能數量將會較為提升。另外，在新廠中南亞科也規(guī)劃建置EUV極紫外光微影生產技術，也有相關的技術研發(fā)中心。至于，最終什么制程導入，或是什么產品導入，還須視市場需求做決定。
來源：科技新報