2007年6月12日，瑞薩開發出32納米及以上工藝片上SOI SRAM前瞻技術 作者： 時間：2010-01-12 來源：電子產品世界 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 2007年6月12日，瑞薩開發出一種可在32 nm(納米)及以上工藝有效實現SRAM的技術，以用于集成在微處理器或SoC(系統級芯片)中的片上SRAM。本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/105010.htm
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