Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。

　　Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應用。占板面積節省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產品的要求。

　　現階段推出的SOT963封裝產品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOSFET 組合及1個4線配置瞬態電壓抑制器陣列DUP412VP5。這些器件的引腳封裝支持手焊及目測，無需X光檢測。

　　采用SOT963封裝的雙晶體管包括雙NPN、雙PNP和互補NPN-PNP配對，額定集電極-發射極電壓 (VCEO) 為 40V 和45V。雙N 型 、雙P型及互補 MOSFET 組件的額定崩潰電壓 (BVDSS) 為20V，額定導通電阻 (RDS(ON)) 都在1.5V 下測量。