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格羅方德 明年提供14納米制程

—— 縮短與競爭對手臺積電之間的制程技術差距
作者: 時間:2013-04-26 來源:工商時報 收藏

  廠格羅方德()今年將投入44~45億美元資本支出,除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導入量產時程,也計劃明年開始提供客戶14納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程,縮短與競爭對手臺積電之間的制程技術差距。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/144703.htm

  根據市調機構ICInsights統計,格羅方德去年已是全球第15大半導體廠,去年全年營收45.6億美元,年成長率高達31%,雖然營收規模只有龍頭大廠臺積電的三分之一不到,但已拉開與聯電間的差距,營收差距擴大到8億美元,等于是穩坐全球第2大廠寶座。

  格羅方德今年決定投入44~45億美元資本支出,除了要加快紐約州12寸廠Fab8導入量產,也要加快制程技術的微縮,以利積極爭取代工訂單。格羅方德現在是超微(AMD)主流級加速處理器(APU)主要代工廠,去年也已成功拿下高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)的手機芯片及ARM應用處理器代工訂單。

  格羅方德先進技術架構副總裁SubramaniKengeri表示,英特爾跨入市場,而且開始推出低功耗智能型手機及平板計算機芯片,現在的手機芯片廠的確感受到競爭壓力與日俱增。由于英特爾3D架構晶體管制程技術領先全球,客戶希望格羅方德能加快FinFET制程研發,因此,不僅明年推出14納米14XM制程,也希望能夠在2015年推出10納米的10XM制程。

  格羅方德紐約州Fab8也希望能在今年正式進入量產階段。該廠已完成廠房興建及機臺移入,總月產能達到6萬片,將支持28納米以下先進制程,而格羅方德也在同一地點,投入20億美元興建技術研發中心(TDC),縮短技術研發及量產間的時間差。



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