D類MOSFT在發射機射頻功放中的應用
加入技術交流群
實際上，可以將MOS管的漏極D和源極S當作一個受柵極電壓控制的開關來使用：當VGS>VT時，漏極D與源極S之間相當于連接了一個小阻值的電阻，這相當于開關閉合；當VGSVT時，漏極D與源極S之間為反向PN結所隔開，此時相當于開關斷開。
由于MOSFET是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅動功率小，而且驅動電路簡單。同時，輸入電路的功耗可大大減小，有助于控制并實現最大功率。場效應管是多數載流子導電，不存在少數載流子的存儲效應，適宜于在環境條件變化比較劇烈的情況下。另外，它還具有較高的開啟電壓(即閾值電壓)，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力。MOSFET通常由于具有較寬的安全工作區而不會產生熱點和二次擊穿。由于該器件有一個零溫度系數的工作點，即當柵極電壓在某一合適的數值時，ID不受溫度變化的影響，因而具有很好的熱穩定性。
2 D類MOSFET在射頻功放中的應用
現以美國哈里斯(HARRIS)公司研發的數字化調幅(DIGITAL AMPLITUDE MODULATION)發射機為例，來說明D類MOSFET在射頻功放中的應用。
數字調幅就是將控制載波電平和音頻調制的模擬信號首先轉換成數字信號，再經過編碼變成控制射頻功放模塊開通和關斷的控制信號，通過控制相應數目的射頻功放模塊的開通或者關斷數量來實現調幅。DAM發射機取消了傳統的高電平音頻功放，而且所有的射頻功率放大器均工作于D類開關狀態，故其整機效率明顯高于其它制式的發射機，典型效率可達到86％。圖3所示為DX一200型DAM發射機的射頻功率放大器模塊的原理方框圖。
評論