久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

新聞中心

EEPW首頁 > 消費電子 > 設計應用 > 相變存儲器的高可靠性多值存儲設計

相變存儲器的高可靠性多值存儲設計

作者: 時間:2012-06-01 來源:網絡 收藏

由于監測某一數據位是否出錯的過程不依賴其他數據位,因此該方法可以實現傳統方法難以實現的“全部數據位的錯誤監測(all-error-detection ,AED) ”。 錯誤監測通過外圍2 個如圖6 所示的S/A 及相關的比較電路實現:一個S/A 使用各“禁區”的下限值(1/g ,1/e ,1/c ,1/a ,b ,d ,f ) 與阻值比進行比較:另個S/A 使用相應的上限值(1/f ,1/d ,1/c ,a ,c ,e ,g) 與阻值比進行比較。 當某一“禁區”的2 個邊界值(如a 和1/a) 與阻值比相比較的結果不同時,即說明此時的阻值比已落入該禁區( a 和1/a 對應禁區[1/a ,a ]) ,則可能的原狀態只可能為與該禁區緊鄰的2 狀態之一(禁區為[1/a ,a ] ,則可能的2 狀態為R2/R1 或R1/R2) 。 后繼ECC 電路再由此縮小的范圍繼續判斷,電路復雜度將大大簡化(具體電路這里略) 。 正常狀態的比較結果見表2。

表2  帶有ECC電路時的輸出狀態的真值表


上一頁 1 2 3 下一頁

評論


相關推薦

技術專區

關閉