英特爾 22 納米和 14 納米晶體管鰭片細節對比：

　　所以，質疑英特爾在晶體管性能優勢競爭中落后的人都該閉嘴了。為什么，將下面三星的 14 納米 FinFET 工藝晶體管細節與上面英特爾的對比就能明白。在 22 納米時代，英特爾的晶體管鰭片的確不夠出色，但 14 納米鰭片看起來已近乎“垂直”，使得了鰭片更高、更薄，更易于提高晶體管的驅動電流和性能。

　　而三星的 14 納米 FinFET 工藝晶體管細節，請注意看，很顯然更像是 2011 年英特爾 22 納米工藝時代的水平，宣稱超越難免有點大嘴了，畢竟無論如何還是基于第一代 FinFET 工藝打造。

　　三星 14 納米 FinFET 晶體管細節圖：

　　當然了，性能突飛猛進不太現實，而且英特爾考慮到了移動領域和其他應用的競爭，畢竟在這些領域不需要非常高的 CPU 頻率。但說到頻率，英特爾的 14nm 駕馭大于 4GHz 不會存在任何技術障礙，而代工廠的 14/ 16 納米當前仍然相當困難。

　　代工廠一直在進步

　　不可否認，在芯片制造業，各大代工廠尤其是三星和臺積電的進步非常之大，并且正在加快步伐縮減與英特爾的技術差距，盡管英特爾長期處于領先，但當前十分需要將差距拉開更大。

　　我們不清楚英特爾是否是缺乏競爭壓力，但在移動領域，三星 14 納米 FinFET、臺積電 16 納米 FinFET 兩大工藝的競爭可謂空前慘烈，從合伙代工蘋果 A9，到爭搶各路訂單，殺得好不熱鬧。更重要的是，兩大代工廠已經做好了部署全新工藝制程的準備，不止是第二版，還包括第三版。

　　例如說，臺積電第一代是標準的 16 納米 FinFET 工藝，之后推出的第二代 FinFET Plus(FF+) 增強版已經部署。至于下一代 FinFET Compact(FFC)也已經完成了設計研發，并確定本季度就可以投入量產，提前了大半年。

　　三星方面，其第一代 14 納米是 Low Power Eatly(LPE)，現在第二代 Low Power Plus(LPP)已經開始量產，重點產品為 Snapdragon 820 和 Exynos 8890。三星高管聲稱，衍生于第二代的下一版 14 納米也將很快推出。

　　更長遠的計劃上，無論是三星和臺積電都已經開始朝著 10 納米的目標邁進。臺積電表示，10 納米今年即可試產，正式批量生產等到 2016 年年底，或者是 2017 年的第一季度。至于三星也提供了大概相同的線路圖，堅稱 2016 年年底 10 納米就可量產，2017 年一定會出現在手機和平板電腦上。

　　反觀英特爾，不僅桌面處理器“Tick-Tock”策略在兩年前已經被打破，而且第一款基于 10 納米工藝的產品按計劃要等至 2017 年下半年才能推出。除非英特爾改革研發模式，否則今年年底將喪失工藝領先的地位。作為半導體芯片領域的巨頭，英特爾長期自信滿滿，但在當前競爭環境中，還真的得加把勁了。