讓CMOS集成高壓功能，ESD是關口

一個由英飛凌(Infineon Technologies)和印度孟買理工學院(Indian Institute of Technology, Bombay)組成的聯合研究小組，近日宣稱可將高電壓功能集成在先進的CMOS技術中。

該聯合項目成立于2007年，主要致力于對I/O設備設計領域以及多門MOSFET的45納米CMOS技術的研究。該聯合小組研究人員表示，弱ESD魯棒性和高ESD應力性，是利用先進CMOS技術制造高壓接口(10V或以上)的主要障礙。

該團隊的研究結果表明，設備的高壓功能、從USB接口到高壓線驅動器，都可以集成在采用45納米甚至以下的CMOS片上系統。

英飛凌的ESD研究高級首席工程師Harald Gossner表示，“這次合作對我們在理解一些現有設備的可靠性問題是十分有益的，所提出的解決方案也大大提升了我們的產品性能。”