三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星預(yù)計于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。

2010年5月在三星會長李健熙的參與下，華城廠16產(chǎn)線正式動工。包含建筑物費用等將階段性投入12兆韓元進行建設(shè)。三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線以12季г參基準(zhǔn)，每月最大產(chǎn)能可達(dá)20萬片以上。

三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線進行閃存生產(chǎn)作業(yè)，是因為近來計算機需求萎靡，且進入第3季后DRAM價格持續(xù)下跌，而閃存則搭上智能型手機(Smartphone)和平板計算機(TabletPC)暢銷熱潮，需求也隨之增加。

海力士(Hynix)曾對外表示2011年DRAM產(chǎn)能將維持與2010年相同水平，僅在微細(xì)制程轉(zhuǎn)換上進行投資。然而至2010年底月產(chǎn)能約8萬片的清州閃存專用M11產(chǎn)線，仍將于2011年擴大產(chǎn)能至12萬片，也是為呼應(yīng)此市場趨勢。

三星目前運用華城廠14產(chǎn)線及美國德州奧斯汀廠生產(chǎn)12季г倉圃焐鏈媯?cè)A城廠12產(chǎn)線則混合生產(chǎn)DRAM和閃存。

南韓業(yè)界相關(guān)人員表示，若三星將既有的閃存產(chǎn)線轉(zhuǎn)換成微細(xì)電路制程，約可創(chuàng)造50~60%的位成長率(BitGrowth)，但三星2011年達(dá)到80%位成長率的目標(biāo)，在執(zhí)行面上則有困難。因此勢必將目前興建中的16產(chǎn)線轉(zhuǎn)生產(chǎn)閃存，才可能達(dá)到80%的目標(biāo)值。