近日，全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司(股份代號：1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)的“90納米低功耗嵌入式閃存工藝”項目榮獲“國家金卡工程2017年度金螞蟻獎-最佳產品配套獎”。這是華虹宏力連續多年獲得國家金卡工程建設的最高獎項——金螞蟻獎，再次印證了華虹宏力在嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝技術上的領先地位。

　　此次獲獎的90納米低功耗嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺由華虹宏力自主研發，是全球最先進的200mm晶圓代工eFlash技術。該工藝可與標準邏輯工藝完全兼容，并能在同一制程兼容嵌入式電可擦除只讀存儲器;在確保高性能、低功耗和高可靠性的基礎上，提供了極小面積的低功耗閃存IP;具有極高集成度的基本單元庫，與0.11微米eFlash工藝相比，門密度提升30%以上。基于這些優點，采用華虹宏力90納米低功耗eFlash工藝平臺制造的芯片面積更小，與0.11微米工藝相比，單片晶圓上的芯片數量增加30%以上。華虹宏力90納米低功耗eFlash工藝平臺能夠為SIM卡、電子秘鑰(UKey)、單線協議SWP(Single Wire Protocol)SIM卡、社保卡、交通卡等智能卡產品、安全芯片產品以及微控制器(MCU)產品等，提供極佳性價比的芯片制造技術解決方案。

　　華虹宏力執行副總裁孔蔚然博士表示，“華虹宏力伴隨金卡工程一起成長，通過持續在該技術領域的深耕發展，已成為智能卡IC生產領域的技術領導者、全球最大的智能卡IC代工者。隨著90納米eFlash技術的成功開發，我們會將越來越多的智能卡產品持續導入至90納米。90納米低功耗eFlash工藝以其尺寸小、功耗低、性能高的特點，具有很強的市場競爭優勢，將推動新一代應用的快速發展。華虹宏力始終堅持技術創新，持續優化產品組合，在保持智能卡市場競爭優勢的同時，將積極布局物聯網引領的MCU市場，為全球客戶提供高效及高性價比的增值解決方案。”