效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優勢。英飛凌科技股份公司開始批量生產EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發揮碳化硅技術的潛力。

　　英飛凌工業功率控制事業部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達到轉折點，考慮到成本效益，它已可用于不同應用。不過，為了讓這一新的半導體技術成為可以依靠的革命性技術，需要英飛凌這樣的合作伙伴。針對應用量身定制產品、我們的生產能力、對技術組合和系統的全面了解：這四大優勢使我們成為功率半導體市場的領導者。依托英飛凌碳化硅產品組合，我們希望并且能夠達成這一目標。”

　　詳情請見附件新聞稿及相關圖片，另附圖片說明如下：

　　Easy1B說明：采用Six-Pack拓撲的Easy1B的特點是成熟的英飛凌模塊配置，導通電阻(RDS(ON))僅45 mΩ。集成的體二極管確保低損耗續流功能。它適用于變頻器、太陽能或焊接技術領域的應用。

　　Easy2B說明：這個較大的Easy2B采用半橋拓撲，性能增強，每個開關的RDS(ON)為8 mΩ。低電感模塊概念是功率超過50 kW和快速開關應用的理想選擇，其中包括太陽能逆變器、快速充電系統或不間斷電源解決方案。

　　62mm說明：采用半橋拓撲的62 mm模塊具有更大功率，每個開關功能的RDS(ON)為6 mΩ。該模塊平臺為中等功率范圍系統實現低電感連接創造了條件。這一特性適合諸多應用，包括醫療設備或鐵路設備的輔助電源等。