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攻5G小基站商機 臺灣工研院發表射頻芯片原型

作者: 時間:2017-08-09 來源:新電子 收藏

  在4G與未來的行動通訊系統,高密度布建的小型基站已被視為提升頻譜資源利用率、實現異質網絡無縫連接的一大解方,相關的關鍵組件的市場潛力十分可觀。 臺灣工研院資通所為協助臺灣通訊上游組件產業掌握小型基站商機,于近期發布小型基站功率放大器芯片封裝模塊原型。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201708/362765.htm

  此一小型基站功率放大器芯片與模塊原型,目前于4G LTE 2.5~2.7GHz (Band-41)上運作,并符合Picocell規格(27dBm, ACLR>47dBc)。 該技術的開發,主要以提升線性度與效率為指針,其先整合了SMD被動組件于SiP封裝模塊,最后則整合于小型基站進行訊號傳輸。

  臺工研院資通所無線新應用技術部技術經理陳正中表示,目前6GHz以下的頻譜,主要會從傳統的2GHz,慢慢延伸到3GHz~Hz,而3.Hz目前是相當多國家首先展開部署的一個5G頻段,而因信道的帶寬已大幅提升,從過去的20MHz提升到5G 6GHz頻段以下的200MHz,若是到毫米波頻段的話,則是將達400MHz, 這對組件來說,是一大挑戰。

  陳正中進一步分析,這樣的帶寬提升,將讓功率放大器的線性度設計變得非常困難,而這些挑戰往往在過去是大型基地臺才會碰到的。 像是如今在提供給小型基地臺使用的功率放大器中,輸出功率不超過1W,其若要需求內存裸晶(Memory Die)的話,是很不容易的,勢必得運用到數字預失真技術(Digital Pre-Distortion, DPD)來處理。

  小型基地臺是增加覆蓋率和頻譜利用率的重要技術,而射頻前端組件與模塊則是非常關鍵的區塊,因其主導了系統的訊號質量、發射距離與接收的敏感度。 以半導體的整體供應鏈來看,射頻前端的芯片,在整個通訊系統的比例是相當重的。

  根據Mobile Experts的預估,小型基地臺的功率放大器(PA)與收發器(Transceiver)的產值,在2019年將占有小型基地臺半導體組件產值的16%。 對此,陳正中指出,當基站的功率越高,其比例亦會更高。

  然而,如今小型基地臺的功率放大器,由Skyworks在Femtocell擁有全球最大的市占。 由于行動通訊之射頻前端組件與制程相相關性高,市場大多由國際整合組件制造商(IDM)占有。

  陳正中指出,不過,臺灣相關芯片廠商現正藉由Fabless+Foundry合作模式逐漸進入市場,但因基站射頻組件規格與門坎較高,因此目前由工研院先行投入,接下來將與臺灣射頻芯片廠商展開合作,開發下一代基站射頻功率放大器,并使其先期進入國際芯片大廠的5G解決方案的參考設計。



關鍵詞: 射頻 5G

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