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意法半導體與遠創達簽署LDMOS技術許可合作協議

作者: 時間:2018-02-26 來源:電子產品世界 收藏

  橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商(STMicroelectronics,簡稱ST)今天宣布與遠創達科技公司簽署一份射頻功率技術許可協議。遠創達是一家總部位于中國蘇州的無晶圓廠的半導體公司,專業設計制造射頻功率半導體產品、模塊和子系統集成。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201802/376096.htm

  導電通道短且擊穿電壓高使器件適用于無線通信系統基站射頻功率放大器以及商用和工業系統的功率放大器。與遠創達的合作協議將擴大產品的應用范圍。

  協議內容保密,不對外披露。



關鍵詞: 意法半導體 LDMOS

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