lab-in-fab 文章最新資訊

CES 2026：首款固態(tài)車輛可能是摩托車

在全球固態(tài)電池裝車落地的競(jìng)速賽中，很少有人會(huì)看好愛沙尼亞的兩家小型企業(yè) —— 這兩家公司此前以創(chuàng)新的無輪轂輪轂電機(jī)及電動(dòng)摩托車產(chǎn)品為人所知。但如今，這兩家初創(chuàng)企業(yè)卻完成了特斯拉、比亞迪等電動(dòng)汽車與電池巨頭尚未實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)。Verge Motorcycles TS Pro 的固態(tài)電池組根據(jù)車型可存儲(chǔ) 20.2 或 33.3 千瓦時(shí)。公平地說，為一輛低容量摩托車制造相對(duì)少量電池，與豐田必須驗(yàn)證并支持成千上萬甚至數(shù)百萬塊汽車電池的保修完全不同。盡管如此，Verge Motorcycles及其技術(shù)衍生品牌Donut
關(guān)鍵字： Verge Motorcycles Donut Lab 固態(tài)電池 2026 CES 電動(dòng)摩托車

Donut Lab的“固態(tài)電池”可能是真的

2026 年 1 月 5 日（周一），芬蘭公司 Donut Lab 在 2026 CES上發(fā)布了一款 “全固態(tài)電池”，其性能參數(shù)十分亮眼：400-Wh/kg能量密度五分鐘滿電設(shè)計(jì)支持長(zhǎng)達(dá)10萬次循環(huán)非常安全由全球豐富的材料制成在?30°C下保持超過99%的容量成本低于鋰離子自發(fā)布之日起，這款宣稱已具備量產(chǎn)條件且可供應(yīng)整車廠的全固態(tài)電池，在電池領(lǐng)域?qū)＜胰后w中引發(fā)了廣泛熱議，同時(shí)也伴隨著諸多質(zhì)疑之聲。固態(tài)電池（SSB）被視為電池技術(shù)領(lǐng)域的 “圣杯”，眾多企業(yè)都投身于該技術(shù)的研發(fā)，但迄今為止，沒有任何一家企業(yè)的
關(guān)鍵字： 2026 CES Donut Lab 固態(tài)電池固體電解質(zhì) 納米材料

臺(tái)積電大膽轉(zhuǎn)型：熊本Fab 2從6nm跳躍至2nm

盡管臺(tái)積電在亞利桑那的擴(kuò)張迅速推進(jìn)，但其日本業(yè)務(wù)進(jìn)展較慢，吸引了密切關(guān)注。不過，熊本Fab 2的計(jì)劃可能正在發(fā)生變化。日經(jīng)新聞曾建議轉(zhuǎn)向4nm——最初計(jì)劃為6nm和7nm——但Mirror Media現(xiàn)在報(bào)道了一個(gè)更大膽的計(jì)劃：晶圓廠可以完全跳過6nm，直接轉(zhuǎn)向2nm。據(jù)鏡媒報(bào)道，臺(tái)積電已向董事長(zhǎng)魏志昌提交了內(nèi)部評(píng)估。如報(bào)告所述，若實(shí)施，熊本制造2將從主要服務(wù)日本汽車客戶轉(zhuǎn)向?qū)Ｗ⒂贜VIDIA和AMD等主要AI芯片客戶。亞利桑那利潤(rùn)，熊本流血原因很明確：臺(tái)多電的財(cái)務(wù)報(bào)告顯示，2025年前三個(gè)季度，亞利桑那
關(guān)鍵字：臺(tái)積電熊本 Fab 2 6nm 2nm

恩智浦將關(guān)閉ECHO Fab晶圓廠，退出氮化鎵5G PA芯片制造

12 月 14 日消息，參考媒體 Light Reading 報(bào)道，NXP 恩智浦已做出了關(guān)閉亞利桑那州錢德勒 ECHO Fab 晶圓廠的決定，該企業(yè)也將退出氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體 5G PA（功率放大器）芯片的制造。2020 年 9 月投產(chǎn)的 ECHO Fab 當(dāng)時(shí)是最先進(jìn)的同類生產(chǎn)設(shè)施。而在 2027 年第一季度，這座生命周期不到七年的 6 英寸晶圓廠將完成最后一片晶圓的生產(chǎn)。恩智浦在一份郵件中表示：近年來，由于移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商投資回報(bào)不足，5G 部署進(jìn)程放緩，全球 5G 基站部署數(shù)量遠(yuǎn)低于最初預(yù)期。鑒
關(guān)鍵字：恩智浦 ECHO Fab 晶圓廠氮化鎵 5G PA 芯片制造

X-FAB為180納米XH018工藝新增隔離等級(jí)，提升SPAD集成能力

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其180納米XH018半導(dǎo)體工藝平臺(tái)中推出新的隔離等級(jí)，旨在支持更緊湊、更高效的單光子雪崩二極管（SPAD）應(yīng)用。新隔離等級(jí)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功能集成度并提升像素密度和填充因子，從而減少芯片面積。采用全新緊湊型25V隔離等級(jí)模塊ISOMOS1（左）和先前所需的模塊ISOMOS2（右）的4×3 SPAD像素示例設(shè)計(jì)SPAD是眾多新興應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，涵蓋應(yīng)用于自動(dòng)駕駛汽車的激光雷達(dá)（LiDAR）、
關(guān)鍵字： X-FAB 180納米 XH018 SPAD

ST宣布擴(kuò)大新加坡"廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室"項(xiàng)目，推進(jìn)"壓電MEMS"開發(fā)應(yīng)用

●? ?新一期廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室合作項(xiàng)目包括與新加坡科技研究局屬下材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國(guó)立大學(xué) (NUS)的合作項(xiàng)目●? ?此為新加坡半導(dǎo)體行業(yè)迄今為止最大的公私研發(fā)合作項(xiàng)目之一●? ?專注于推進(jìn)壓電微電機(jī)系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)產(chǎn)品在個(gè)人電子產(chǎn)品、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 Lab-in-Fab 廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室壓電MEMS

英特爾將在愛爾蘭工廠大批量生產(chǎn)3nm芯片

據(jù)外媒報(bào)道，英特爾確認(rèn)將于今年晚些時(shí)候在其位于愛爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產(chǎn)3nm芯片。據(jù)了解，Intel 3是該公司的第二個(gè)EUV光刻節(jié)點(diǎn)，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報(bào)告中表示，該工藝于2024年在美國(guó)俄勒岡州完成首批量產(chǎn)，2025年產(chǎn)能將全面轉(zhuǎn)至愛爾蘭萊克斯利普工廠。據(jù)介紹，英特爾同步向代工客戶開放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯(lián)電合作開發(fā)12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶端處理器Pa
關(guān)鍵字：英特爾 3nm Fab 34 14A

芯科科技EFR32ZG28 SoC技術(shù)解析與應(yīng)用展望

在智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、智慧城市等場(chǎng)景快速發(fā)展的今天，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備正面臨著三大核心挑戰(zhàn)：多協(xié)議兼容性、超低功耗設(shè)計(jì)以及數(shù)據(jù)安全防護(hù)。傳統(tǒng)單頻段芯片難以滿足設(shè)備在復(fù)雜環(huán)境中的通信需求，而日益增長(zhǎng)的網(wǎng)絡(luò)攻擊風(fēng)險(xiǎn)則對(duì)硬件級(jí)安全提出了更高要求。Silicon Labs（芯科科技）推出的EFR32ZG28系列無線SoC正是為破解這些難題而生。這款芯片創(chuàng)造性地將Sub-1GHz頻段與2.4GHz BLE雙頻通信集成于單晶圓，支持從169MHz到960MHz的廣域Sub-GHz通信，以及藍(lán)牙5.2標(biāo)準(zhǔn)。這種架構(gòu)不僅解決了
關(guān)鍵字：芯科科技 Silicon Lab 無線通信

物聯(lián)網(wǎng)無線通信技術(shù)的革新者：EFR32MG26無線SoC深度解析

技術(shù)背景：物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的無線通信挑戰(zhàn)與突破在萬物互聯(lián)的時(shí)代背景下，智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、智慧城市等場(chǎng)景對(duì)無線通信技術(shù)提出了更高要求。設(shè)備需要同時(shí)滿足低功耗、多協(xié)議兼容、高安全性以及強(qiáng)大的邊緣計(jì)算能力，這對(duì)傳統(tǒng)無線芯片架構(gòu)構(gòu)成了巨大挑戰(zhàn)。Silicon Labs推出的EFR32MG26系列無線SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）正是針對(duì)這些需求應(yīng)運(yùn)而生的創(chuàng)新解決方案。作為專為物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備設(shè)計(jì)的無線通信平臺(tái)，EFR32MG26在單芯片內(nèi)集成了ARM Cortex-M33處理器、高性能射頻模塊和AI加速單元，支持Matter、
關(guān)鍵字：芯科科技 Silicon Lab 智能家居 Wi-Fi

新一代物聯(lián)網(wǎng)無線通信模組的技術(shù)革新與應(yīng)用藍(lán)圖

在萬物互聯(lián)的時(shí)代浪潮下，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備正朝著更智能、更節(jié)能、更安全的方向演進(jìn)。傳統(tǒng)無線通信技術(shù)受限于功耗、協(xié)議兼容性及安全性等問題，難以滿足智能家居、工業(yè)傳感、醫(yī)療健康等場(chǎng)景的嚴(yán)苛需求。Silicon Labs推出的SiWG917無線模組，以Wi-Fi 6與藍(lán)牙5.4雙協(xié)議融合為核心，結(jié)合Matter標(biāo)準(zhǔn)支持，重新定義了超低功耗物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的可能性。技術(shù)突破：重新定義無線通信的能效邊界SiWG917的技術(shù)革新始于其獨(dú)特的雙核架構(gòu)設(shè)計(jì)。模組內(nèi)部集成ARM Cortex-M4應(yīng)用處理器與多線程網(wǎng)絡(luò)無線處理器（NWP
關(guān)鍵字：芯科科技 Silicon Lab 無線通信

X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計(jì)劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲(chǔ)空間的EEPRO
關(guān)鍵字： X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現(xiàn)有為光學(xué)傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導(dǎo)體工藝平臺(tái)——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強(qiáng)化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應(yīng)增強(qiáng)型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見光和紅外波長(zhǎng)（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進(jìn)的紫外線專用光電二極管dosuv和dosu
關(guān)鍵字： X-FAB 光電二極管傳感靈敏度

Intel出售愛爾蘭工廠49%股份：獲110億美元緩解財(cái)務(wù)壓力

6月6日消息，據(jù)媒體報(bào)道，英特爾近期宣布，已同意以110億美元的價(jià)格將其位于愛爾蘭的Fab 34芯片工廠49%的股份出售給阿波羅全球管理公司。這一舉措旨在為英特爾的大規(guī)模擴(kuò)張計(jì)劃引入更多外部資金，同時(shí)緩解公司的財(cái)務(wù)壓力。根據(jù)英特爾的聲明，通過此次交易，英特爾將出售Fab 34芯片工廠相關(guān)實(shí)體中49%的股份，而保留51%的股份，保持對(duì)工廠的控股權(quán)。Fab 34工廠是英特爾在歐洲唯一一家使用極紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片制造工廠，對(duì)采用Intel 4和Intel 3制程的晶圓提供支持，迄今為止，英特爾已在該
關(guān)鍵字：英特爾 Fab

X-Fab增強(qiáng)其180納米車規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案

Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號(hào)和專業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造平臺(tái)的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺(tái)現(xiàn)在包括全新的40 V和60 V高壓基礎(chǔ)器件，可提供可擴(kuò)展的安全工作區(qū)（安全工作區(qū)）以提高運(yùn)行穩(wěn)健性。這些第二代器件在RDSon數(shù)據(jù)上也有顯著降低，與此前版本相比降低
關(guān)鍵字： X-Fab 180納米高壓CMOS代工

聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠首批設(shè)備到廠

據(jù)聯(lián)電（UMC）官網(wǎng)消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴(kuò)建新廠的上機(jī)典禮，首批設(shè)備到廠，象征公司擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃建立新廠的重要里程碑。據(jù)悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓代工廠之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和車用電子等領(lǐng)域需求，總投資金額為50億美元。據(jù)了解，聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠的擴(kuò)建計(jì)劃。當(dāng)時(shí)消息稱，新廠第一期月產(chǎn)能規(guī)劃30,000片晶圓，2024年底開始量產(chǎn)，后又在2022年底稱，在過程中因缺工缺料及
關(guān)鍵字：聯(lián)電 Fab 設(shè)備