全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎器件的RDSon阻值降低高達50%，為某些關鍵應用提供更好的選擇——特別適合應用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術解決方案，基于低掩模數5V單柵極核心模塊，支持-40°C
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X-FAB 180納米 高壓CMOS 代工
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學傳感器產品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術使得每個像素點接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
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X-FAB 圖像傳感器 背照技術 CMOS傳感器
霍爾效應磁性傳感器，也稱為霍爾傳感器，是一種基于霍爾效應原理制作而成的磁場傳感器。霍爾效應是磁電效應的一種，由美國物理學家Edvin Hall于1879年發現。霍爾傳感器具有工作頻帶寬、響應快、體積小、靈敏度高、無觸點、便于集成化、多功能化等優點，而且便于與計算機等其他設備連接。霍爾傳感器的工作原理是，當一個有電流的物體被放置在磁場中時，如果電流方向和磁場方向相互垂直，則在同時垂直于磁場和電流方向的方向上會產生橫向電位差，這個現象就是霍爾效應，由此產生的電位差稱為霍爾電壓。霍爾傳感器就是基于這個原理制作的
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芯科科技 Silicon Lab 霍爾效應磁性傳感器
隨著2023年的波折逐漸平息，2024年的半導體市場正迎來更加充滿不確定性的挑戰。電子產品世界有幸采訪到了芯科科技家居和生活業務高級營銷總監Tom Nordman，就公司的發展狀況、市場波動、技術應用及未來展望等方面進行了深入探討。 芯科科技家居和生活業務高級營銷總監，Tom NordmanTom Nordman首先回顧了芯科科技在2023年的整體發展。他表示，近年來物聯網蓬勃發展，并且在未來很長一段時間內保持向上發展的態勢。智能家居作為物聯網的重要應用領域之一，雖然因地產行業近期相對低迷，導致
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芯科科技 Silicon Lab 智能家居 Matter
12月22日，科創板上市公司格科微（688728.sh）成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領中國芯未來”為主題的20周年慶典暨臨港工廠投產儀式，及2023年產品推介會暨CEO交流會。圖1 格科微20周年慶典暨臨港工廠投產儀式.JPG以讓世界看見中國的創新為使命，格科微經過二十年的發展，成功實現了從Fabless到Fab-Lite的戰略轉型，迎來了歷史最佳的經營局面。值此良機，格科微高端產品再傳佳訊，公司推出三款全新單芯片高階產品，為未來加速核心技術產品化，邁向嶄新的發展階段奠定了基礎。整個活動，政府領
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Fab-Lite 格科微 5000萬像素 圖像傳感器
據臨港新片區管委會官網披露文件顯示，日前，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產線項目城鎮污水排入排水管網許可順利獲批。據悉，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產線項目由中芯國際和中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區管理委員會合作規劃建設。根據協議，雙方共同成立合資公司，規劃建設產能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產線項目，聚焦于提供28納米及以上技術節點的集成電路晶圓代工與技術服務。據中芯國際發布的公告顯示，該項目計劃投資約88.7億美元（折合人民幣約573億元），這也是中芯國際在上海的第一個按照Twin Fa
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中芯國際 12英寸晶圓 代工廠 Twin Fab
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出專用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺。得益于在制造過程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時，顯著增強信號，而且不會對暗計數率、后脈沖和擊穿電壓等參數產生負面影響。X-FAB通過推出這一最新版本的產品，成功豐富了其SPAD產品的選擇范圍，提升了解決眾多視近紅外
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X-FAB 近紅外 SPAD
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術領域取得重大進展——X-FAB在2018年基于其先進工藝XA035推出針對穩健的分立電容或電感耦合器優化之后，現又在此平臺上實現了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對半導體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產品的設計更加靈活，從而應對可再生能源、EV動力系統、工廠自動化和工業電源領域的新興機遇。XA035基于350納米工藝節點，非常適合制造車用傳感器和高壓工
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X-FAB 電隔離解決方案
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進一步增強其在射頻（RF）領域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動的人員可與X-FAB技術人員（位于438C展位）就這一創新進行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
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X-FAB 無源器件 晶圓代工廠
為物聯網設備制造商模擬真實世界的操作性和連接性測試?中國，北京 - 2023年6月27日 - 致力于以安全、智能無線連接技術，建立更互聯世界的全球領導廠商Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）今日宣布，芯科科技波士頓辦公室開設全新的Connectivity Lab（”連接實驗室”）。”連接實驗室”模擬現代智能家居場景，其中包含一系列的物聯網（IoT）設備、應用軟件、生態系統和網絡，為開發人員提供一個理想的環境，從而支持他們在包含各種協議和設備品牌的真實場景中測試其M
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中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業和大型實體機構在光電子領域的創新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過程中，模擬/混合信號晶圓代工領域的先進廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發起一項戰略倡議，旨在推
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中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
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X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
近期，一眾國內廠商擴產、量產碳化硅的消息頻繁發布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK
powertech位于釜山的新工廠結束試運行，將正式量產碳化硅，產能將擴大近3倍。除此之外，據外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導體產品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
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碳化硅 瑞薩 X-FAB
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關系。作為新協議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術授權，將這一技術的性能優勢帶給大批量市場的客戶群體。130納米SiGe BiCMOS平臺新創建的130納米平臺顯著加強了X-FAB的技術組合，提供了獨特的解決方案，達到滿足下一代通信要求所需的更高
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X-FAB 萊布尼茨IHP
近年來，受到全球半導體產能短缺、新冠疫情以及季節性需求等因素的影響，存儲器件的價格呈現出較大的波動態勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業分析機構的分析師都預測了半導體產能的短缺將持續整個2022年，甚至更長。根據WSTS的數據分析，2022年全球存儲器件市場的規模將達到1716.82億美元，較之前預估的2022年增加135.21億美元，同比增長將會達到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場預測（2021年11月）圖源：WSTS&nbs
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嵌入式存儲 X-FAB NVM
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