- 在全球固態電池裝車落地的競速賽中，很少有人會看好愛沙尼亞的兩家小型企業 —— 這兩家公司此前以創新的無輪轂輪轂電機及電動摩托車產品為人所知。但如今，這兩家初創企業卻完成了特斯拉、比亞迪等電動汽車與電池巨頭尚未實現的目標。Verge Motorcycles TS Pro 的固態電池組根據車型可存儲 20.2 或 33.3 千瓦時。公平地說，為一輛低容量摩托車制造相對少量電池，與豐田必須驗證并支持成千上萬甚至數百萬塊汽車電池的保修完全不同。盡管如此，Verge Motorcycles及其技術衍生品牌Donut
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Verge Motorcycles Donut Lab 固態電池 2026 CES 電動摩托車
- 2026 年 1 月 5 日（周一），芬蘭公司 Donut Lab 在 2026 CES上發布了一款 “全固態電池”，其性能參數十分亮眼：400-Wh/kg能量密度五分鐘滿電設計支持長達10萬次循環非常安全由全球豐富的材料制成在?30°C下保持超過99%的容量成本低于鋰離子自發布之日起，這款宣稱已具備量產條件且可供應整車廠的全固態電池，在電池領域專家群體中引發了廣泛熱議，同時也伴隨著諸多質疑之聲。固態電池（SSB）被視為電池技術領域的 “圣杯”，眾多企業都投身于該技術的研發，但迄今為止，沒有任何一家企業的
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2026 CES Donut Lab 固態電池 固體電解質 納米材料
- 盡管臺積電在亞利桑那的擴張迅速推進，但其日本業務進展較慢，吸引了密切關注。不過，熊本Fab 2的計劃可能正在發生變化。日經新聞曾建議轉向4nm——最初計劃為6nm和7nm——但Mirror Media現在報道了一個更大膽的計劃：晶圓廠可以完全跳過6nm，直接轉向2nm。據鏡媒報道，臺積電已向董事長魏志昌提交了內部評估。如報告所述，若實施，熊本制造2將從主要服務日本汽車客戶轉向專注于NVIDIA和AMD等主要AI芯片客戶。亞利桑那利潤，熊本流血原因很明確：臺多電的財務報告顯示，2025年前三個季度，亞利桑那
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臺積電 熊本 Fab 2 6nm 2nm
- 12 月 14 日消息，參考媒體 Light Reading 報道，NXP 恩智浦已做出了關閉亞利桑那州錢德勒 ECHO Fab 晶圓廠的決定，該企業也將退出氮化鎵 (GaN) 半導體 5G PA（功率放大器）芯片的制造。2020 年 9 月投產的 ECHO Fab 當時是最先進的同類生產設施。而在 2027 年第一季度，這座生命周期不到七年的 6 英寸晶圓廠將完成最后一片晶圓的生產。恩智浦在一份郵件中表示：近年來，由于移動運營商投資回報不足，5G 部署進程放緩，全球 5G 基站部署數量遠低于最初預期。鑒
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恩智浦 ECHO Fab 晶圓廠 氮化鎵 5G PA 芯片制造
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其180納米XH018半導體工藝平臺中推出新的隔離等級，旨在支持更緊湊、更高效的單光子雪崩二極管（SPAD）應用。新隔離等級能夠實現更高的功能集成度并提升像素密度和填充因子，從而減少芯片面積。采用全新緊湊型25V隔離等級模塊ISOMOS1（左）和先前所需的模塊ISOMOS2（右）的4×3 SPAD像素示例設計SPAD是眾多新興應用中的關鍵組件，涵蓋應用于自動駕駛汽車的激光雷達（LiDAR）、
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X-FAB 180納米 XH018 SPAD
- ●? ?新一期廠內實驗室合作項目包括與新加坡科技研究局屬下材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國立大學 (NUS)的合作項目●? ?此為新加坡半導體行業迄今為止最大的公私研發合作項目之一●? ?專注于推進壓電 微電機系統（MEMS） 技術產品在個人電子產品、醫療設備等領域的應用服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (
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意法半導體 Lab-in-Fab 廠內實驗室 壓電MEMS
- 據外媒報道，英特爾確認將于今年晚些時候在其位于愛爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產3nm芯片。據了解，Intel 3是該公司的第二個EUV光刻節點，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報告中表示，該工藝于2024年在美國俄勒岡州完成首批量產，2025年產能將全面轉至愛爾蘭萊克斯利普工廠。據介紹，英特爾同步向代工客戶開放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯電合作開發12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶端處理器Pa
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英特爾 3nm Fab 34 14A
- 在智能家居、工業自動化、智慧城市等場景快速發展的今天，物聯網設備正面臨著三大核心挑戰：多協議兼容性、超低功耗設計以及數據安全防護。傳統單頻段芯片難以滿足設備在復雜環境中的通信需求，而日益增長的網絡攻擊風險則對硬件級安全提出了更高要求。Silicon Labs（芯科科技）推出的EFR32ZG28系列無線SoC正是為破解這些難題而生。這款芯片創造性地將Sub-1GHz頻段與2.4GHz BLE雙頻通信集成于單晶圓，支持從169MHz到960MHz的廣域Sub-GHz通信，以及藍牙5.2標準。這種架構不僅解決了
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芯科科技 Silicon Lab 無線通信
- 技術背景：物聯網時代的無線通信挑戰與突破在萬物互聯的時代背景下，智能家居、工業自動化、智慧城市等場景對無線通信技術提出了更高要求。設備需要同時滿足低功耗、多協議兼容、高安全性以及強大的邊緣計算能力，這對傳統無線芯片架構構成了巨大挑戰。Silicon Labs推出的EFR32MG26系列無線SoC（系統級芯片）正是針對這些需求應運而生的創新解決方案。作為專為物聯網終端設備設計的無線通信平臺，EFR32MG26在單芯片內集成了ARM Cortex-M33處理器、高性能射頻模塊和AI加速單元，支持Matter、
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芯科科技 Silicon Lab 智能家居 Wi-Fi
- 在萬物互聯的時代浪潮下，物聯網設備正朝著更智能、更節能、更安全的方向演進。傳統無線通信技術受限于功耗、協議兼容性及安全性等問題，難以滿足智能家居、工業傳感、醫療健康等場景的嚴苛需求。Silicon Labs推出的SiWG917無線模組，以Wi-Fi 6與藍牙5.4雙協議融合為核心，結合Matter標準支持，重新定義了超低功耗物聯網設備的可能性。技術突破：重新定義無線通信的能效邊界SiWG917的技術革新始于其獨特的雙核架構設計。模組內部集成ARM Cortex-M4應用處理器與多線程網絡無線處理器（NWP
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芯科科技 Silicon Lab 無線通信
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領域的重大創新。該創新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
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X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式數據存儲
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現有為光學傳感器而特別優化的180nm CMOS半導體工藝平臺——XS018上，現推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產品選擇，強化了X-FAB廣泛的產品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產品中，兩款為響應增強型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見光和紅外波長（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進的紫外線專用光電二極管dosuv和dosu
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X-FAB 光電二極管 傳感靈敏度
- 6月6日消息，據媒體報道，英特爾近期宣布，已同意以110億美元的價格將其位于愛爾蘭的Fab 34芯片工廠49%的股份出售給阿波羅全球管理公司。這一舉措旨在為英特爾的大規模擴張計劃引入更多外部資金，同時緩解公司的財務壓力。根據英特爾的聲明，通過此次交易，英特爾將出售Fab 34芯片工廠相關實體中49%的股份，而保留51%的股份，保持對工廠的控股權。Fab 34工廠是英特爾在歐洲唯一一家使用極紫外線（EUV）光刻技術的芯片制造工廠，對采用Intel 4和Intel 3制程的晶圓提供支持，迄今為止，英特爾已在該
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英特爾 Fab
- Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專業晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補型金屬氧化物半導體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發布的一篇新聞稿表示，該平臺現在包括全新的40 V和60 V高壓基礎器件，可提供可擴展的安全工作區（安全工作區）以提高運行穩健性。這些第二代器件在RDSon數據上也有顯著降低，與此前版本相比降低
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X-Fab 180納米 高壓CMOS代工
- 據聯電（UMC）官網消息，5月21日，聯電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮，首批設備到廠，象征公司擴產計劃建立新廠的重要里程碑。據悉，聯電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進半導體晶圓代工廠之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯網和車用電子等領域需求，總投資金額為50億美元。據了解，聯電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠的擴建計劃。當時消息稱，新廠第一期月產能規劃30,000片晶圓，2024年底開始量產，后又在2022年底稱，在過程中因缺工缺料及
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聯電 Fab 設備
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