全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎器件的RDSon阻值降低高達50%，為某些關鍵應用提供更好的選擇——特別適合應用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統中。

XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術解決方案，基于低掩模數5V單柵極核心模塊，支持-40°C至175°C的寬溫度范圍，并提供一系列可選的器件和模塊——包括高增益雙極器件、標準和高電容密度MIM電容器、多閾值（Vt）選項、肖特基二極管和耗盡型器件。

該平臺搭載高可靠性汽車NVM解決方案，如嵌入式閃存（Eflash）、EEPROM和OTP，專為成本敏感型和穩健型汽車、工業及醫療應用而設計。

除了新推出的40V/60V器件外，該平臺還加入了5.3V齊納二極管，進一步提升其性能。此款全新低漏電流的齊納二極管專為關鍵應用中的柵氧提供有效保護，如寬帶隙柵極驅動器應用等。此外，其還提供一系列最高電壓高達24V的新型隔離漏極高壓器件和中閾值電壓選項的1.8V MOS器件。

X-FAB高壓產品線經理Tilman Metzger表示：“我們XP018平臺的此次升級，展現X-FAB致力于加強成熟技術方面的決心。XP018平臺已投產超過十年，并且仍然在汽車、工業和醫療等我們重點關注細分市場領域的新設計中得到廣泛應用。這些極具競爭力的高壓器件及其更新將使我們的客戶能夠打造更具創新性和成本效益的產品。采用全新XP018基礎器件的設計人員可以獲得Cadence、Siemens EDA、Synopsys等各主要EDA平臺全面的PDK支持，確保在各類應用中實現無縫集成與優化。”

全新中閾值標準單元庫預計將于2024年第三季度發布。

縮略語：

CMOS   互補金屬氧化物半導體

DMOS   雙擴散金屬氧化物半導體

PDK   工藝設計套件

RDSon   導通電阻

SOA   安全工作區

SOI   絕緣體上硅