此時，兩個　極電流的差達到最大值，即：

式（26）~式（27）反映了并聯應用的功率MOSFET極電流分配不勻程度及其與器件參數、電路參數的關系，以上分析利用了近似關系式B> >A>>C，當不滿足該關系時，以上分由式(26)~(27)可以看出，兩漏極電流分配不均的程度與管子參數gm、UT1、UT2、 Cgs、Cgd和電路參數Rg、Ls、Lo等都有密切關系。根據場效應管IRFP064的典型參數及典型電路參數應用式(10)、(15)、(16)、 (22)、(23)得到曲線如圖4所示。當得到的漏極電流的不均勻程度及所需時間隨管子參數和電路參數的變化關系如圖5、圖6所示。

4 結束語
通過以上分析，要減小并聯應用的MOSFET管電流分配不勻的影響，當應用電路采用如圖3所示的控制方式時，可采取以下措施：(1)盡量選擇UT、gm、Ron等參數對稱的管子，這是最基本的方法；(2)適當引入源極電感Ls，這樣既可提高漏極電流iD 的均勻度，又不至于明顯增大上升時間；(3)在漏極電流如的上升時間滿足要求的情況下，盡量減小柵極電阻Rg；(4)通過合理安排元器件及合理布線，盡量減小漏極分布電感。