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安森美半導體將在EV China 2019展示電動汽車和助推邁向自動駕駛的技術

作者: 時間:2019-07-05 來源:汽車電子應用 收藏
編者按:汽車領域正迅速邁向采用純電動汽車(EV),并采用將最終實現全自動駕駛汽車的精密ADAS。安森美半導體在這一領域處于技術前沿,持續開發和推出器件及集成的系統方案,以使強固、可靠并完全符合最新汽車標準的高性能電子成分遍及整個車輛。

據報道,(ON Semiconductor)將于7月3日至5日在上海舉辦的第13屆上海國際節能與新能源汽車產業博覽會(EV China 2019),展示應用于汽車功能電子化、先進駕駛輔助系統(ADAS)、汽車照明和車身電子的方案和技術。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201907/402338.htm

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汽車領域正迅速邁向采用純電動汽車(EV),并采用將最終實現全汽車的精密ADAS。在這一領域處于技術前沿,持續開發和推出器件及集成的系統方案,以使強固、可靠并完全符合最新汽車標準的高性能電子成分遍及整個車輛。

將在其展位上作演示,使觀眾深入了解和看到這些演示的應用的可能性。在汽車功能電子化領域,安森美半導體將展示其符合車規的用于牽引逆變器的器件將直流電池電壓轉換為交流,包括最近推出的AFGHL50T65SQDC 650 V、50 A混合IGBT和碳化硅肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)技術,為汽車硬開關應用提供最佳性能。

此外,安森美半導體將展示其寬禁帶()技術,演示650  V SiC肖特基二極管晶圓及1200 V、80 mΩ SiC MOSFET晶圓。經AEC-Q 101汽車認證的SiC二極管和SiC MOSFET為重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC和電動汽車車載充電器應用帶來寬禁帶技術的使能、廣泛的性能優勢。SiC器件結合高功率密度和高能效工作,占位更小,可顯著減小整個系統的尺寸并降低成本。

安森美半導體也將展示其支持的激光雷達(LiDAR)和圖像感知技術,可互為補足用于精密ADAS和方案。

其它演示將令觀眾清晰地了解安森美半導體用于電動汽車充電樁、先進LED照明及車身電子應用的方案,如插電式混合動力汽車(PHEV)和EV的正溫度系數(PTC)加熱、泊車輔助和靜音工作冷卻風扇等。



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