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首款5nmRISC-V架構芯片成功流片 由臺積電工藝

作者: 時間:2021-04-16 來源:ZOL 收藏

近日,架構芯片設計公司SiFive宣布,其首款基于臺積電工藝的架構的SoC芯片成功流片。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/202104/424520.htm

這顆芯片基于SiFive E76 32位核心,該核心專為不需要全量精度的AI、微控制器、邊緣計算等場景設計,同時SiFive也提供按需定制功能的服務。SoC采用2.5D封裝并集成了HBM3存儲單元,帶寬7.2Gbps。

架構是一個是一個基于精簡指令集原則的開源指令集架構。被認為未來有希望與ARM和X86架構三分天下的未來之星。RISC-V架構在誕生后的短短五六年時間里吸引到了包括高通、谷歌、英偉達、阿里巴巴等數百家企業和高校參與研發和商用。它備受追捧的關鍵一點在于,開放的源代碼芯片體系結構允許公司開發兼容的芯片,而無需像開發ARM芯片一樣,預付各種費用。

此次成功流片意味著這款芯片在設計上已經取得了成功,如果順利,將在一年內成功量產。




關鍵詞: 5nm RISC-V

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