Bourns 開發了兩款具有納米晶內核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內存系統的功率損耗。

SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿足最新的 DDR5 內存技術規格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規格。

SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結構制造，可實現低磁場輻射和納米晶磁芯，以支持高電流和低蜂鳴噪聲。Bourns 開發了新的納米晶粉末構建技術，并將其與最新的電感器制造工藝技術相結合。

這些電感器的工作溫度范圍為 -40 至 +125 °C，電感范圍高達 1.5 微亨 （μH），提供 3030 和 2520 封裝尺寸。