X-FAB 硅晶圓廠 SE 在其 180nm XH018 半導體工藝中發布了一種新的隔離類別，該工藝支持更緊湊和高效的單光子雪崩二極管（SPAD）實現。

新的隔離類別可以實現更緊密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子，從而減小芯片面積。SPAD 是許多新興應用中的關鍵組件，包括自動駕駛汽車的激光雷達、3D 成像、AR/VR 系統的深度感知、量子通信和生物醫學傳感。X-FAB 已經在其 180nm XH018 平臺上提供多個 SPAD 器件，其有效面積從 10 μm 到 20 μm 不等。這包括一個近紅外優化的二極管，以提高光子探測概率（PDP）性能。

為了實現高分辨率的 SPAD 陣列，緊湊的間距和更高的填充因子是必不可少的。新發布的模塊 ISOMOS1，一個 25-V 隔離類別模塊，允許顯著更緊湊的晶體管隔離結構，無需額外的掩模層，并與 X-FAB 的其他 SPAD 變體完美匹配。

當比較 SPAD 像素布局時，這種改進的好處是顯而易見的。在一個典型的 4×3 SPAD 陣列中，每個像素的光學區域為 10×10 μm，采用新的隔離類別可以使總面積減少約 25%。此外，與之前可用的隔離類別相比，填充因子提高了約 30%。通過精心優化的像素設計，可以實現更高的面積效率和檢測靈敏度。

X-FAB SPAD 廣泛應用于需要直接飛行時間技術的應用，如智能手機、無人機和投影儀。這項新的技術進步直接受益于這些應用，其中高分辨率傳感和緊湊的尺寸至關重要。它能夠在多種場景中實現精確的深度傳感，例如工業距離檢測和機器人傳感，通過保護機器人周圍區域并避免機器人工作時發生碰撞，從而實現協作機器人。除了提高性能和集成密度外，新的隔離類別為需要低噪聲、高速單光子檢測且尺寸緊湊的 SPAD 系統開辟了更廣泛的應用機會。

海明·魏，X-FAB 光電技術市場部技術營銷經理解釋道：“XH018 中引入新的隔離等級標志著 SPAD 集成的重大進步。它實現了更緊湊的布局和更好的性能，同時允許我們利用經過驗證、可靠的 180 納米平臺開發更先進的傳感系統。”

現在可以提供模型和 PDK，包括新的 ISOMOS1 模塊，支持下一代 SPAD 陣列的高效評估和開發。