1月28日消息，去年5月，小米正式推出自主研發的旗艦SoC——玄戒O1，這顆芯片由玄戒團隊自主設計，采用臺積電第二代3nm工藝，CPU和GPU都采用了Arm方案，多核跑分成績超過9000分，躋身行業第一梯隊。但小米并未大范圍在其自家產品上應用玄戒O1，僅小米15S Pro及小米平板7 Ultra等少量產品搭載。小米創辦人雷軍曾在接受采訪時表示，研芯片需要有三到四年的研發周期，第一代是在驗證技術，所以預定數量少，下一步我們會全部自研四合一的域控制，為將來小米自研芯片上車做好準備。進入2026年，小米玄戒O2
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隨著英特爾暫緩向客戶推廣該公司的18A制造工藝（1.8納米級），轉而將精力轉向下一代14A制造工藝（1.4納米級），英特爾14A的工藝進展就成為業界關注的新焦點。該節點預計將于2027年做好風險生產準備，并于2028年做好量產準備。 英特爾在半導體代工領域的未來極有可能取決于下一代英特爾14A工藝節點能否獲得蘋果和英偉達等主要客戶的認可，首席執行官陳立武強調了客戶合作在14A工藝研發過程中的重要意義，并警告說如果沒有重大承諾，英特爾可能會停止 14A 的開發，并有可能退出代工業務。如果英特爾真的
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2025 年 6 月 13 日，CellWise 發布了一份關于重大資產出售的草案報告摘要，稱其計劃將其全資子公司 Silex Sweden 的控制權轉讓給包括 Bure 和 Creades 在內的七家買家。具體而言，CellWise 的全資子公司將向 Silex Sweden 轉讓 441,0115 股——相當于交易后總股本的 45.24%——以現金形式進行。根據公告，該交易的定價為23.75億瑞典克朗。交易前，CellWise 通過其子公司持有 Silex Sweden 的 100%股權，使 Sile
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X-FAB 硅晶圓廠 SE 在其 180nm XH018 半導體工藝中發布了一種新的隔離類別，該工藝支持更緊湊和高效的單光子雪崩二極管（SPAD）實現。新的隔離類別可以實現更緊密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子，從而減小芯片面積。SPAD 是許多新興應用中的關鍵組件，包括自動駕駛汽車的激光雷達、3D 成像、AR/VR 系統的深度感知、量子通信和生物醫學傳感。X-FAB 已經在其 180nm XH018 平臺上提供多個 SPAD 器件，其有效面積從 10 μm 到 20 μm 不等。這包括一個近紅
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日本的研究人員開發了一種聚合物波導，其性能與現有復雜芯片封裝中的共封裝光學（CPO）方法相似。這可以降低將光學連接添加到芯片封裝中的成本，以減少功耗并提高數據速率。CPO 系統需要激光源才能運行，該激光源可以是直接集成到硅光子芯片（PIC）中，也可以是外部提供。雖然集成激光源允許更多連接，但確保一致性可靠性可能具有挑戰性，這可能影響整體系統魯棒性。另一方面，在 CPO 中使用外部激光源（ELS）可以提高系統可靠性。由日本國立先進工業科學技術研究所的 Satoshi Suda 博士領導的研究團隊測試了在玻璃
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隨著臺積電準備在今年晚些時候開始采用其 N2（2nm 級）工藝技術制造芯片，關于 N2 晶圓定價以及后續節點定價的傳言已經出現。我們已經知道，據報道，臺積電計劃對使用其 N30,000 技術加工的晶圓收取高達 2 美元的費用，但現在《中國時報》報道稱，該公司將對“更先進的節點”收取每片晶圓高達 45,000 美元的費用，據稱這指向該公司的 A16（1.6nm 級）節點。2nm 生產成本高“臺積電的 2nm 芯片晶圓代工價格已飆升至每片晶圓 30,000 美元，據傳 [更多] 先進節點將達到 45,000
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臺積電 1.6nm 工藝 晶圓
電子集成技術分為三個層次，芯片上的集成，封裝內的集成，PCB板級集成，其代表技術分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對于封裝內的集成，情況就要復雜得多。電子集成技術分類的兩個重要依據：1.物理結構，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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電子集成 工藝 制程
4月29日消息，據MacRumors報道，蘋果原計劃為iPhone 17 Pro的屏幕配備抗刮抗反射涂層，目前已經取消。消息稱，蘋果在擴大顯示屏涂層工藝方面遇到了問題。此前考慮到Apple生產的數百萬臺設備，為iPhone顯示屏添加防反射涂層的過程太慢了，因此即使它只計劃用于Pro機型，今年似乎仍然不可行。三星早在Galaxy S24 Ultra上就開始使用Gorilla Glass Armor面板，也是同類型技術，可以將反射減少75%，在強光、燈光下保持屏幕清晰可見。目前市面上流行的一種AR貼膜就使用了
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財聯社4月23日訊（編輯 馬蘭）據媒體報道，英特爾正委托臺積電使用其2納米制程生產Nova Lake CPU。考慮到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過臺積電的2納米技術，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產品，而這可能是其將Nova Lake生產外包給臺積電的一個原因。但業內也懷疑，既然18A工藝已經投入了試生產，英特爾將生產外包可能是由于產能需求的驅動，而不是性能或回報等方面的問題。還有傳言稱，英特爾可能采取雙源戰略：既使用臺積電的2納米技術生產旗艦產品，
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隨著半導體制造復雜性的不斷增加，相關的排放量正在以驚人的速度增長。TechInsights Manufacturing Carbon Module?數據顯示，位于俄勒岡州的下一代 2nm 晶圓廠將生產 ~30 萬 MtCO2e 每年消耗超過 400 GWh 的電力。鑒于對電力和范圍 2 排放的依賴，晶圓廠選址也起著重要作用，位于臺灣的同等晶圓廠每年產生的排放量幾乎是其三倍。有勝利。具有高晶體管密度的精細工藝可以大大減少每個晶體管的輻射。半導體制造的碳中和是可能的，但正如我們將要展示的那樣，這需要
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半導體芯片制程技術的創新突破，是包括英特爾在內的所有芯片制造商們在未來能否立足AI和高性能計算時代的根本。年內即將亮相的Intel 18A，不僅是為此而生的關鍵制程技術突破，同時還肩負著讓英特爾重回技術創新最前沿的使命。那么Intel 18A為何如此重要？它能否成為助力英特爾重返全球半導體制程技術創新巔峰的“天命人”？RibbonFET全環繞柵極晶體管技術與PowerVia背面供電技術兩大關鍵技術突破，會給出世界一個答案。攻克兩大技術突破 實力出色RibbonFET全環繞柵極晶體管技術，是破除半
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據外媒報道，近日，英特爾投資者關系副總裁John Pitzer在公開澄清了關于基于Intel 18A制程的首款產品——Panther Lake推遲發布的傳聞。他表示，Panther Lake仍按計劃于今年下半年發布，發布時間并未改變，且英特爾對于目前的進展非常有信心。報道中稱，John Pitzer表示當前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake開發階段的表現還要略勝一籌。幾周前有技術論文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表現已與臺積電N2工藝相當。“雖然技術比較存在多
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1 月 22 日消息，半導體互聯 IP 企業 Blue Cheetah 美國加州當地時間昨日表示，其新一代 BlueLynx D2D 裸晶對裸晶互聯 PHY 物理層芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先進制程上成功流片（Tape-Out）。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高級 2.5D 和標準 2D 芯粒封裝，總吞吐量突破 100 Tbps 大關，同時在面積和功耗表現上處于業界領先水平，將于 2025 年第二季度初在封裝應用中接受硅特性分析。Blue Che
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11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平臺發布推文，曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績突破 4000 分，多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代驍龍 8 至尊版芯片（高通驍龍 8Gen 5）將混合使用三星的 SF2 代工和臺積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯發科天璣 9500 芯片均支持可擴展矩陣擴展（Scalable Matrix Extensio
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