iDEAL 半導體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進入量產(chǎn)階段，另外還有四個 200V 器件正在進行樣品測試。

SuperQ 是過去 25 年來硅 MOSFET 技術的第一個重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在提供性能和效率飛躍的同時，保留了硅的核心優(yōu)勢：堅固性、大規(guī)模可制造性和在 175°C 下經(jīng)過驗證的可靠性。

首個進入大規(guī)模生產(chǎn)的 200 V 器件 iS20M028S1P 是一款 TO-220 封裝的 25 mΩ MOSFET。iDEAL 的最低電阻 200 V 器件，現(xiàn)已在 TOLL 和 D2PAK-7L 中進行樣品測試，其最大 RDS(on) 僅為 5.5 mΩ。這創(chuàng)造了新的性能基準，其電阻比當前市場領導者低 1.2 倍，比下一個最好的競爭對手低 1.7 倍。

“通過將 SuperQ 擴展到 200 V，iDEAL 證明了硅創(chuàng)新遠未結束，”iDEAL 半導體 CEO 和創(chuàng)始人 Mark Granahan 表示。“這些結果表明，我們可以在保持硅的可制造性、可靠性和成本優(yōu)勢的同時，提供最低的電阻和卓越的開關性能。這是我們公司的一個重大里程碑，也是那些希望推動效率進步的客戶的重要里程碑。”

200V SuperQ 系列的靶應用包括電機驅(qū)動、LED 照明、電池保護、AI 服務器、隔離式 DC/DC 電源模塊、USB-PD 適配器和太陽能。目前器件已投入生產(chǎn)，并提供行業(yè)領先的樣品，iDEAL 正加速與高增長電力市場的客戶合作。