2025年11月20日至21日，全球居先的綜合電子元器件制造商村田中國（以下簡稱“村田”）將亮相于成都中國西部國際博覽城召開的“2025集成電路發展論壇（成渝）暨三十一屆集成電路設計業展覽會（ICCAD 2025）”，展位號：【D106】。此次大會，村田將重點關注未來高性能AI發展，著力為高速高頻設計挑戰提供更多小型化、高性能的元器件產品和解決方案，集中展示在集成電路領域的前沿技術和解決方案。

隨著人工智能技術的迅速發展和算力需求的持續攀升，AI芯片的市場規模正迅速擴大。根據德勤中國今年發布的《技術趨勢2025》^*1報告，全球AI芯片市場增長迅猛，到2027年，預計市場規模將增長至4000億美元，保守預估也將達1100億美元。AI芯片的高速發展對集成電路設計也提出了更高的要求。如何優化和創新芯片中的多類元器件，使其能夠滿足AI應用日益增長的計算、能效和穩定性要求，正成為行業聚焦的重點。

*1來源：Deloitte, “Tech trend 2025”,2025,

本次展會，村田將帶來多款業內居先的電子元器件產品及解決方案，持續助力行業解決因AI芯片性能提高而產生的多種設計挑戰，推動集成電路產業向更優效、更小型化、更穩定的方向發展。

●   低ESL（UESL）硅電容

村田低ESL硅電容，特別適用于封裝內去除高頻反諧振點的去耦和PDN設計優化，非常適合AI服務器HPC、用于前沿深度學習的加速發展高規格GPU等應用場景。該系列具有低ESL、ESR和多端子設計，能夠降低PDN在高頻下的阻抗，支持多電源域的去耦，3D結構實現電容分布的靈活性。目前，該系列產品已成功應用于一些旗艦機的APU，以及HPC的部分PDN設計參考中。

●   多層陶瓷電容器（MLCC）

村田此次帶來多款MLCC產品，涵蓋長寬倒置電容（LLL）、三端子電容（NFM），小型化大容量電容等產品，可應用于AI服務器、交換機、汽車等多種場景。村田的長寬倒置型低ESL MLCC不僅具有220μm以下的低厚度特點，而且低ESL特性對電路PDN 設計有著很大的幫助，因此非常適合芯片背貼使用。而3端子電容則能有效解決板級或芯片內部空間問題，減少電容使用數量，提升電路性能。此外，村田的大容量化措施讓村田成功成為業內率先實現0603（1.6x0.8mm）/X6/100μF產品量產的廠商。村田的MLCC以豐富的產品線和行業居先的技術實力助力多類設備向小型化、高性能、高穩定性發展，從而有效解決行業痛點，推動行業飛躍式發展。

●   村田集成封裝解決方案^*2

利用村田的專有技術，結合聚合物電容與多層基板技術生產工藝所研發，容值密度高，厚度薄，專有的通孔設計可實現芯片或電源模塊的垂直供電。同時，具備穩定性高、無直流偏置和溫漂的特點。區別于傳統電容布局，村田的集成封裝解決方案在優化PDN阻抗的同時，為高性能計算等領域應用的緊湊化設計提供更多可能性。非常適合服務器、GPU、AI加速卡等應用。

*2參考產品，產品規格和外觀如有變更，恕不另行通知

展會現場，村田還將展出包括多層LCP產品在內的多樣化產品。除此之外，村田也將在展會期間參與“IC設計與創新應用”大會，并帶來主題演講——《AI與汽車電子領域的精良封裝IC(PDN)設計與解決方案》。屆時，村田中國產品工程師李丹鈺女士將分享村田在人工智能和車載電子領域的PDN優化經驗和前沿封裝設計思路，為與會者帶來關于PDN技術的專業洞察。

村田將持續通過技術積累及實踐，助力集成電路設計優化，為行業提供多元解決方案。歡迎各界人士蒞臨村田展位，親身體驗前沿科技，共同探索行業新篇。