來(lái)源：萬(wàn)高半導(dǎo)體（Alpha & Omega Semiconductor，AOS）

萬(wàn)高半導(dǎo)體（AOS）推出的 AOTL037V60DE2 型 600V MOSFET，是該公司基于 MOS E2 平臺(tái)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的首款器件。該平臺(tái)及其衍生產(chǎn)品旨在滿足大功率開關(guān)電源（SMPS）與逆變系統(tǒng)的應(yīng)用需求，可為服務(wù)器、工作站、通信整流器、光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)電源系統(tǒng)等廣泛場(chǎng)景帶來(lái)更高效率、更高功率密度、更低整體系統(tǒng)成本與更強(qiáng)的可靠性。

該器件適用于圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）、LLC 諧振變換器、相移全橋（PSFB）以及臨界導(dǎo)通模式 H-4 / 回旋逆變器等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它基于萬(wàn)高先進(jìn)的 MOS E2 工藝平臺(tái)制造，結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)專門優(yōu)化，可適配軟開關(guān)拓?fù)洌瑢?shí)現(xiàn)極低的開關(guān)損耗。

該器件還集成了性能穩(wěn)定的本征體二極管，具備更低的反向恢復(fù)電荷（QRR），可在硬換流場(chǎng)景下可靠工作，例如在短路、啟動(dòng)瞬態(tài)等異常工況下，續(xù)流體二極管的反向恢復(fù)過(guò)程。其他先進(jìn)特性包括：強(qiáng)大的非鉗位感性開關(guān)（UIS）能力、浪涌電流承受能力、更寬的安全工作區(qū)（SOA），以及抗自導(dǎo)通特性。

AOTL037V60DE2 采用 TOLL 封裝，最大導(dǎo)通電阻 RDS (ON) 為 37 毫歐。目前該產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)批量供貨，交期 16 周，1000 片起訂單價(jià)為 5.58 美元。