聯(lián)華電子今(14)日宣布推出用于顯示驅(qū)動(dòng)IC的14奈米嵌入式高壓(eHV) FinFET技術(shù)平臺(tái)，并可提供制程設(shè)計(jì)套件(Process Design Kit, PDK)供客戶進(jìn)行設(shè)計(jì)導(dǎo)入。此全新制程已于聯(lián)電12A廠完成驗(yàn)證，可提升電源效率與效能，同時(shí)縮小芯片尺寸，助力新一代顯示技術(shù)的發(fā)展。

相較于聯(lián)電目前量產(chǎn)中最先進(jìn)的22奈米制程eHV解決方案，14奈米eHV FinFET平臺(tái)可降低40%的功耗與縮小35%的芯片面積，進(jìn)一步延長(zhǎng)電池續(xù)航力，并支援更小型、輕薄的驅(qū)動(dòng)模塊設(shè)計(jì)，以提供高階與摺疊式OLED智能型手機(jī)顯示應(yīng)用。在數(shù)位電路方面，14奈米平臺(tái)以FinFET元件取代平面晶體管，并透過(guò)最佳化的I/O元件設(shè)計(jì)與更高的驅(qū)動(dòng)速度，進(jìn)一步提升電氣效能，確保訊號(hào)完整性，同時(shí)支援高分辨率顯示應(yīng)用所需的高刷新率。此外，優(yōu)化后的中電壓元件具備更小的線寬間距并支援更廣泛的電壓操作范圍，為驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)提供更高的彈性。

聯(lián)電技術(shù)研發(fā)副總經(jīng)理徐世杰表示：「顯示應(yīng)用無(wú)所不在，市場(chǎng)需求將持續(xù)朝向更高畫質(zhì)、更快速度與更低功耗發(fā)展。聯(lián)電很高興能在顯示驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)中持續(xù)領(lǐng)先，此次14奈米eHV平臺(tái)的推出，是我們首次將FinFET技術(shù)導(dǎo)入顯示驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，具有重要里程碑意義。隨著客戶產(chǎn)品功能不斷升級(jí)，聯(lián)電將持續(xù)以領(lǐng)先的制程技術(shù)，協(xié)助客戶將創(chuàng)新構(gòu)想化為可量產(chǎn)的成果。」

聯(lián)電長(zhǎng)期在OLED顯示驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)中居于領(lǐng)先地位，目前亦為業(yè)界唯一提供最先進(jìn)22奈米顯示驅(qū)動(dòng)IC解決方案的晶圓代工廠。憑借著領(lǐng)先的eHV制程技術(shù)、完整的IP資源與強(qiáng)大的設(shè)計(jì)支援能力，聯(lián)電以涵蓋0.6微米至14奈米的高壓制程技術(shù)平臺(tái)，為顯示產(chǎn)業(yè)提供最完整的解決方案，攜手客戶共同引領(lǐng)顯示新世代。