Power Integrations研發的反激拓撲架構取得技術突破，將反激變換器的功率適用范圍拓展至440 瓦，可有效降低系統成本、設計復雜度與開發周期，性能超越結構更復雜的傳統諧振及 LLC 拓撲方案。

TOPSwitchGaN 反激 IC 系列融合了公司自研PowiGaN 氮化鎵技術與經典 TOPSwitch 芯片架構。全新拓撲不僅簡化電路架構、縮短設計周期，還可讓多數應用省去散熱片。

該系列器件堪稱電源設計的根本性變革，把反激電源帶入以往無法企及的功率區間，以極簡架構實現高效率與高性能表現。

TOPSwitchGaN 芯片在10%～100% 全負載區間效率最高可達 92%，待機與關機功耗低于 50 毫瓦，無需同步整流。PowiGaN 開關管具備更低的導通電阻（RDS (on)），顯著降低導通損耗，大幅提升反激變換器的功率承載能力。

芯片內置800V PowiGaN 開關管，浪涌抗擾能力優異、開關損耗低，最高工作開關頻率可達150kHz，可大幅縮小變壓器體積。在 230V 交流輸入下，含線路檢測功能的空載功耗低于 50 毫瓦；同時在 230V 交流待機工況下，僅需 300 毫瓦輸入功率，即可輸出最高 210 毫瓦，滿足系統后臺值守電路供電需求。

薄型eSOP-12 表面貼裝封裝無需外加散熱片，即可實現135W（85～265V 交流）功率輸出；立式eSIP-7 封裝占用 PCB 面積更小，熱阻抗性能媲美 TO-220 封裝器件。

如需應對高功率嚴苛應用，加裝金屬散熱片可進一步拓寬功率覆蓋范圍。TOPSwitchGaN 引腳與 TinySwitch-5 離線開關芯片 硬件引腳完全兼容，設計師可沿用同一套設計思路，覆蓋10W 至 440W全功率應用場景。