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功率半導體及LED用封裝熱阻檢測方法JEDEC標準

作者: 時間:2011-04-02 來源:網(wǎng)絡 收藏
 美國明導科技宣布,基于該公司MicReD部門與德國英飛凌科技Automotive Power Application部門2005年共同發(fā)表創(chuàng)意時所提出的半導體封熱阻檢測方法,已成為(Joint Electron Device Engineering Council)標準。該方法主要針對等領域,用于散熱路徑單一的場合。

  相應規(guī)格于2010年11月被管理半導體熱特性評測技術的 JC15委員會認定為“JESD51-14”標準。該標準命名為:“在熱量流過單一路徑的半導體器件時,用于檢測結(注:器件的結點)-殼(注:的外殼)間熱阻的雙面瞬態(tài)檢測方法”。

  此次的標準(以及明導和英飛凌于2005年共同發(fā)表的方法)基于MicReD推出的下述技術:

  (1)靜態(tài)的瞬態(tài)熱阻檢測技術(已成為51-1標準);

功率半導體及LED用封裝熱阻檢測方法JEDEC標準

注:使用T3Ster(右上)的熱阻檢測方法。首先使用T3Ster求出溫度的時間分布(左圖)。然后使用相關軟件將時間分布信息轉換為構造函數(shù)(右圖)。(點擊圖片放大)

  (2)利用由該技術獲得的時間-溫度分布信息導出構造函數(shù)(顯示熱阻-熱容關系的函數(shù)或圖形)。

功率半導體及LED用封裝熱阻檢測方法JEDEC標準

另外,(1)和(2)兩技術已通過使用明導提供的熱阻檢測用硬件“T3Ster”及其軟件,實現(xiàn)了商品化。

功率半導體及LED用封裝熱阻檢測方法JEDEC標準

  JESD51-14的方法在包含隔離層和不包含隔離層兩種場合(這就是“雙面”的含義)均基于(1)和(2)這兩種技術,推算出各自的構造函數(shù)。構造函數(shù)一致的部分可作為結-殼間熱阻高精度求出。另外,在微處理器等散熱路徑不單一時,通過改為單一路徑的設計并多次檢測,便可求出熱阻。

  在此次明導宣布上述消息的同時,英飛凌在2011年3月20~24日于美國舉行的國際會議“2011 IEEE SEMI-THERM Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium”上,發(fā)表了與JESD51-14相關的論文。另外,上面提到的MicReD部門在2005年時是一家總部設在匈牙利布達佩斯的企業(yè)(MicReD Kft.)。MicReD后被英國Flomerics Group PLC.收購。后來明導又于2008年收購了Flomerics,現(xiàn)在變成了明導的MicReD部門。



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