非傳統MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法
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圖14：因遷移率增強，驅動電流增強及作為Lg應變硅函數之一的Rsd/Rch加速了Rsd/Rch的增長，導致返回的驅動電流逐漸減小。
本文小結
我們發現日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結構和材料拓展了性能功耗設計空間，使之超躍了傳統的本體硅晶體管。最終，通過構成一個由多層系統-電路-器件電源管理生態系統構成的底層，晶體管的創新將會繼續在定義下一代提高功效的策略時發揮關鍵作用。
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