結語本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/230440.htm隨著加工工藝尺寸的日益縮小，“軟”誤差對存儲器件的影響已經從原先的“無關緊要”演變成為系統設計中需要加以認真考慮的重要事項。賽普拉斯等SRAM售主已經在工藝開發和產品設計當中采取了相應的對策，以求最大限度地降低器件對SER的敏感度，并由此將SRAM的應用范圍擴展到遠遠小于90nm的工藝幾何尺寸。憑借在系統設計和產品設計水平的正確對策，SRAM仍將是多代工藝中一種可行的存儲器解決方案。
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