靜態隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼(ECC)的16Mb低功耗異步SRAM 已開始出樣。全新MoBL® (More Battery Life™，更久電池續航) SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水準的數據可靠性，而無需另外的錯誤校正芯片，從而簡化設計并節省電路板空間。該MoBL器件可延長工業、軍事、通訊、數據處理、醫療和消費電子等應用領域里手持設備的電池續航時間。

　　背景輻射造成的軟錯誤可損壞存儲內容，丟失重要數據。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執行所有錯誤校正動作，無需用戶干預，因而具有業界最佳的軟錯誤率(SER)性能，錯誤率僅有0.1 FIT/Mb(1個FIT相當于器件每工作十億小時發生一個錯誤)。這些新器件與現有的異步低功耗SRAM管腳兼容，客戶不必更改電路板設計即可提高系統可靠性。16Mb MoBL 異步SRAM還具有可選的錯誤指示信號，可指示單位(Single-Bit)錯誤的發生和校正。

　　賽普拉斯異步SRAM事業部高級總監Sunil Thamaran說：“自從我們去年推出帶ECC的快速SRAM以來，客戶反響非常強烈。在這一系列中增加MoBL器件，可使更多的應用受益于我們的片上ECC技術。賽普拉斯致力于不斷開發SRAM新技術，更好地為客戶服務，鞏固我們毫無爭議的市場領導地位。”

　　賽普拉斯的16Mb MoBL異步SRAM具有業界標準的x8, x16 和 x32配置。器件具有多種工作電壓(1.8V， 3V和5V)，工作溫度范圍為-40?C 至 +85?C(工業級)和-40?C 至 +125?C(汽車級)。

　　供貨情況

　　這些全新SRAM目前已有工業溫度范圍的樣片，預計2014年11月份量產。這些器件以符合RoHS標準的48-pin TSOP I、 48-ball VFBGA、 119-ball BGA方式封裝。